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安森美半导体推出NCP1361、4308、4371充电方案组合,专为QC3.0优化

智能手机发展到今天,强劲的处理器和更大的屏幕,使得手机电池的容量一再提升,更快的充电成为提升手机使用体验的一项重要指标。传统大电流充电,需要更粗的线缆来抵消掉线缆上的压降,也需要耐大电流的接口,来承载更大的充电电流。对用户来说还是不太方便的,那么有没有一种解决方案可以让充电速度加快,又不需要对用户体验造成太大影响呢?在这个环境背景下,高通快速充电应运而生了。
高通快速充电2.0是提供了更高的电压,相同的电流,使得充电器输出到手机上的功率加大,减少电池的充电时间。在2.0推出以后,为了减小手机端在电压转换过程中的发热,高通又推出了快速充电3.0,简称QC3.0,最主要是在QC2.0几个固定电压的标准上,进一步细化,可以以200mV档次来微调电压。使用QC3.0,手机与充电器之间可以“互相协商”,动态调节充电功率,从而使充电达到最优化的速度,发热降到最低。
安森美半导体致力于推动高能效创新,是全球电源方案的领袖,为配合新一代快速充电技术,公司推出符合新的高通QC 3.0的AC-DC适配器方案,支持更小尺寸的适配器,具有能效高、空载待机能耗低等优势,支持高通QC 3.0高压专用充电端口(HVDCP)A级和B级规格,和向下兼容旧的QC 2.0协议,并符合UL认证和欧盟能效标准(CoC V5 Tier-2)要求,提供领先业界的高能效。该方案集成NCP4371次级端充电控制器、NCP4308同步整流(SR)控制器和NCP1361/6初级端稳流准谐振(QR) PWM控制器。
安森美NCP4371 QC3.0识别芯片:
 4371
NCP4371支持QC3.0 A/B两种规格,内置恒压和恒功率输出两种模式、无需外加TL431等稳压器、同时具备内部或者外部放电降压功能,提供SO-8封装。
安森美NCP4308 同步整流控制器:
4308
NCP4308提供8A灌电流和4A拉电流驱动能力,有效帮助使用高Qg,低Rds的MOSFET,可驱动GaN功率器件以提高同步整流效率、支持CCM/DCM/QR反激/LLC模式下应用。最高工作频率高达1MHz、工作电压高至35V、
超快关断触发、可调节的最小导通/关断时间、自适应门极驱动、精密的真正的零电流检测(ZCD)、低启动电流和低待机电流,提供SO-8和DFN-8封装。
安森美NCP1361 初级PWM控制器:
1361
NCP1361内建软启动、逐周期过流保护、输出低压/过压保护、宽工作电压功能。提供SO-7和TSOP-6封装。
以上方案为我们在高效快速充电器上,提供了一个新的高效率的选择,也为其他电源方案选型带来了新的参考,在提高效率,降低损耗的道路上前进。
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