方舟(ARK)微电子作为国内领先的模拟功率器件设计公司,国内唯一一家设计生产耗尽型MOSFET的企业,2008年成立以来坚持自主研发,2013年开始向华为、三星、LG、小米等各大品牌手机充电器提供具有特殊功能的MOSFET。公司自主研发的专利产品60V、100V、150V系列、600V系列耗尽型MOSFET,以及30V、40V、60V、85V、100V、150V增强型系列MOSFET,受到市场广泛欢迎,销量已达近十亿只,目前,已被PI、IWATT、ON、昂宝、硅动力、康源、立锜等多家主IC方案商普遍选用。
ARK产品主要针对USB PD3.0和USB PD3.1快充标准的电源系统的应用,包括以下几种功能的系列:
一、专为宽电压、大功率输出的PD和QC充电器的PWM IC提供稳定电源的06系列和10系列:
由于采用USB PD3.0和USB PD3.1快充标准的充电器具有宽电压、大电流输出, 可实现手机电池的快速充电。快充可提供 3.3V~48V的充电电压以及最高 5A 的充电电流,输出功率可达 240W。采用06系列和10系列的超高阈值电压耗尽型MOSFET可替代齐纳二极管等最多5颗器件进行钳位保护的传统方案,不仅简化了方案,减少PCB 占用空间和面积,也节约了BOM 成本。(原理见图1与图2比较)
产品可靠性高,成本低,体积小,为用户轻松构筑快充安全应用的坚固防线。主要包括以下六款型号:DMZ0615E/DMX0615E;DMZ0622E/DMX0622E;DMZ1015E/DMX1015E。
06系列超高阈值电压耗尽型 MOSFET :
漏源击穿电压为 70V 的DMZ0615E/DMX0615E,其中 DMZ0615E 采用紧凑的 SOT-23 封 装;DMX0615E 采用 SOT-89 封装,具有更大的耗散功率。 DMZ0622E 和 DMX0622E,分别采用 SOT-23 和 SOT-89 封装,具有更高的阈值电压。
10系列超高阈值电压耗尽型 MOSFET:
漏源击穿电压为 100V 的 DMZ1015E /DMX1015E。DMX1015E采用 SOT-89 封装且阈值电压最高达 27V,更适合大功率的充电器应用。
图1、采用传统的三极管电压调节器Type-C PD充电器原理产品
图2、采用DMZ0615E/DMZ1015E为Type-C PD充电器PWM IC供电
二、ARK独特的耗尽型MOSFET在充电头中除PWM IC供电系列外,还有更多产品线,包括:15系列高阈值电压耗尽型MOSFET:
适用于同步整流IC供电并进行钳位保护的15系列,DMZ1521E其漏源击穿电压为150V,阈值电压为-5V~-7V,DMZ1521E采用SOT-23封装。
三、长期应用在SMPS 启动电路中的DMZ6005高压耗尽型MOSFET:
在PWM IC启动阶段,通过DMZ6005E给PWM IC供电,进入稳态工作状态后,DMZ6005E关断,从而降低系统功耗。
采用耗尽型 MOSFET DMZ6005实现的 SMPS 启动电路,具有如下优点:(1)极宽的输入电压范围;(2)启动完成后,启动电路切断,功耗可忽略不计,提高了系统效率;(3) 器件发热低,PCB 布局紧凑,提高了系统可靠性。采用DMZ6005启动方案,可以克服传统启动电路中系统效率低,输入电压范围窄,PCB 板承受较高热量,体积大等缺点。
四、具有高性价比的高中低压系列增强型MOSFET
ARK同时也研发生产应用于快充的输出VBUS开关管、同步整流管等的30V-100V系列增强型MOSFET,产品以其高性价比,高可靠性,交期及时的特点得到高端客户的信赖和选择。
方舟(ARK)微电子是国家高新技术企业、国家集成电路设计企业,所有产品均为完全自主研发,相关技术已获得发明专利等证书。产品以高稳定性、高可靠性、低成本特点得到国内外客户的普遍认可。ARK将携为快充定制研发的多款系列产品,以及高效的电源电路保护解决方案参加2021(秋季)USB PD&Type-C 亚洲展展会。
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