近年来，氮化镓快充产品因充电快、发热小以及体积小备受消费者喜爱，随着消费需求的日益增长，氮化镓快充的市场规模也在持续扩大，众多快充厂商因此受益，同时越来越多的充电器都开始应用氮化镓功率器件，这无疑加快了行业对氮化镓高功率密度快充产品的创新，随着对氮化镓特性的不断了解，将氮化镓与开关电源控制器集成整合的芯片也开始出现。
作为国内高功率密度快充解决方案的开拓者和创新者，亚成微电子自然也不会缺席，在近日推出了高集成度的合封氮化镓开关电源芯RM6820NQ/RM6604ND系列，芯片内部集成开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，并具有小体积、高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。通过合封，不仅简化了充电器的设计，还大幅减少了充电器初级元件数量，降低了对PCB板面积的要求，系统成本方面也更具有优势，并实现了高可靠、高效率、高集成的小型化快充电源设计要求。
合封氮化镓开关电源芯片RM6820NQ（最大支持120W快充）
RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术，芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大120W快充，全电压范围内待机功耗小于 65mW，满足六级能效标准，专有 ZVS 技术降低GaNFET 开关损耗，提高产品效率及功率密度，改善产品 EMI。具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点,实现了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充电源设计要求。
RM6820NQ 集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下，在低压输入时会进入 CCM 模式；在重载情况下，系统工作在 QR 模式，并采用专有 ZVS 技术，以降低开关损耗，同时结合 PFM 工作模式提高系统效率；RM6820NQ 采用专有的驱动技术，搭配高压 GaNFET功率器件改善 EMI 设计；在轻载或空载情况下，系统工作在 Burst Mode 模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6820NQ 本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善 EMI。
RM6820NQ 同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置 OTP，外置 OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护 OCP，过载保护（OLP），CS 短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和 ZVS 线电压补偿。
合封氮化镓开关电源芯片RM6604ND（最大支持36W快充）
RM6604ND采用我司自主研发封装技术，集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器、驱动保护以及高压启动等，支持最大36W快充，全电压范围内待机功耗小于 65mW，满足六级能效标准，支持 CCM/QR 混合模式，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点，满足快充电源小型化设计要求。此外，芯片采用DFN5*6封装，成本更为优异。
RM6604ND 集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下，在低压输入时会进入 CCM 模式；在重载情况下，系统工作在 QR 模式，以降低开关损耗，同时结合 PFM工作模式提高系统效率；RM6604ND 采用专有的驱动技术，搭配高压 GaNFET 功率器件改善 EMI 设计；在轻载或空载情况下，系统工作在 Burst Mode 模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604ND 本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善 EMI。
RM6604ND 同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置 OTP，外置 OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护 OCP，过载保护（OLP），CS 短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。
亚成微电子是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，在USB PD快充领域，致力于为客户提供高可靠性的高功率密度快充解决方案，目前已推出应用于大功率快充的高集成度合封氮化镓开关电源芯RM6820NQ/RM6604ND系列，以及E-Mode GaN FET直驱ZVS开关电源芯片RM6801系列和CCM/QR开关电源芯片RM6601系列；应用于中小功率的全新升级版 自供电双绕组开关电源芯片RM673X系列（内置亚成微自研超结MOS-RMX65R系列）；同时新一代大功率同步整流方案RM343X系列也已进入量产阶段（最高350KHz工作频率，支持200Ｗ快充输出功率），完美适用于百瓦级以上氮化镓快充产品，将有效提升快充产品功率密度并降低厂商的物料成本。
公司已实现快充市场主流功率段覆盖，目前RM6820NQ/RM6604ND已经处于量产阶段，有意向的小伙伴可以与亚成微电子联系，获取更多产品详细信息。
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