前言

低压氮化镓集成驱动芯片是一种将增强型低压硅基氮化镓晶体管和单通道高速驱动器集成在一起的芯片，具有体积小、高功率密度、高效率、高开关频率、低导通电阻、零反向恢复损耗等优点，常在PD快充、电机驱动、D类音频放大、微型逆变器、通信设备等消费以及工业场景应用。

最近，充电头网了解到，氮矽推出一款全新GaN PIIP氮化镓芯片，该芯片集成GaN HEMT及氮化镓栅极驱动器，能够降低寄生参数并提升整机系统效率。且目前该芯片已经成功导入极萌美容仪供应链，助力产品实现稳定、高效的超声波高频能量输出。

氮矽科技DXC3510S2CA

氮矽科技DXC3510S2CA是一款100V的GaN PIIP，集成了100V耐压、导阻12 mΩ的E-mode GaN HEMT及氮化镓栅极驱动器，专为高效、高密度电源设计而优化。该器件具备0~20V的宽范围输入耐压能力，可适应复杂的电压波动环境，同时支持超高开关频率，显著提升系统功率密度和响应速度。

得益于氮化镓材料的先天优势，DXC3510S2CA能够实现快速且可控的上升时间，优化开关损耗并提高能效。此外，其零反向恢复损耗（Zero Reverse Recovery Loss）特性彻底解决了传统硅基器件在续流过程中的能量浪费问题，特别适用于高频开关电源、同步整流、高频DC-DC转换器、电机驱动、D类音频放大器以及无线功率传输等设备应用。

充电头网总结

氮矽DXC3510S2CA芯片凭借高集成度与高频开关特性，有效简化外围电路并降低成本，相较于传统低压MOS方案，DXC3510S2C开关损耗低，温升表现佳，降低散热需求，减少寄生电感，优化开关噪声，提升可靠性，可谓是最求高效、高性能的小型消费电子产品的理想之选。

充电头网了解到，氮矽科技自成立以来，公司始终专注于研发与销售全方位氮化镓产品，以瞄准新能源与国家先进基础产业为方向，打造全国产氮化镓产品线。公司分别在成都和深圳设立研发与营销中心，为各应用领域客户提供高性能、高可靠性的解决方案。

氮矽科技始终将科研能力作为立身之本，在氮化镓领域打破国际厂商垄断。公司先后推出“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP®（Power integrated in package）和PWM GaN”四大产品线，广泛应用于消费电子、数据中心、锂电池以及新能源汽车等领域。

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