前言

纳微独家沟槽辅助平面栅工艺，可实现平面和沟槽优势互补，使得碳化硅MOSFETs兼具可靠性和可制性，相较传统平面或沟槽技术，无需在性能或可制性做出妥协。

演讲嘉宾介绍

演讲嘉宾姓名：祝锦

职位：纳微半导体技术营销总监

演讲主题：纳微沟槽辅助平面栅工艺，碳化硅可靠性与可制性的双突破

嘉宾个人介绍

祝锦，拥有南京航空航天大学本科和硕士学位，曾在MPS，Fairchild和ON分别担任AE和FAE。现任纳微半导体高级技术营销经理，负责纳微半导体大功率产品的市场及推广。

关于纳微

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。