前言

镓未来作为实现全功率范围氮化镓器件的量产的半导体功率器件企业，旗下产品具有易于使用、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品。目前镓未来旗下多款氮化镓器件被小米、安克、联想、DJI、LG等多领域厂商采用。究竟是何种魅力让镓未来芯片备受业界知名品牌青睐，下文中小编将为您详细介绍。

镓未来氮化镓在快充、笔电适配器中的应用

目前，镓未来针对PD快充市场推出多款650~700V高压氮化镓，导阻覆盖70~480mΩ，目前已经打入多家一线知名品牌数十款产品供应链。

镓未来G1N65R070PD-H

镓未来G1N65R070PD-H是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻70mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。镓未来G1N65R070PD-H采用XDFN8x8-8L封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，提升EMI性能。

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镓未来G1N65R092TA-H

镓未来G1N65R092TA-H是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，标称导阻92mΩ，采用TO-220封装。

应用案例：

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镓未来G1N65R150PB-H

镓未来G1N65R150PB-H，是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻150mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。镓未来G1N65R150PB-H采用PQFN8x8封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，提升EMI性能。

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镓未来G1N65R150PB-N

镓未来G1N65R150PB-N，是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻150mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。镓未来G1N65R150PB-N采用PQFN8x8封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，提升EMI性能。

应用案例：

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镓未来G1N65R240PB

镓未来G1N65R240PB是一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻240mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。采用PQFN8*8封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，提升EMI性能。

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镓未来G2N70R150PD-H

镓未来G2N70R150PD-H是一颗耐压700V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻150mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。采用HDFN8×8-8L封装。

应用案例：

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镓未来G2N70R150TA-H

镓未来G2N70R150TA-H是一颗耐压700V，峰值耐压800V的氮化镓开关管，导阻为150mΩ。器件具有坚固的栅极，能够简化栅极驱动设计，提供最佳的性能和杰出的可靠性。镓未来G2N70R150TA-H适用于硬开关桥式电路，比如连续电流模式图腾柱无桥PFC或逆变器、（双向）带同步整流HVDC Buck降压电路或Boost升压电路，还适用于高频高效率移相全桥、LLC或其他软开关拓扑，采用TO-220-3L封装。

应用案例：

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镓未来G2N70R240PB-H

镓未来G2N70R240PB-H是一颗耐压700V、导阻240mΩ的氮化镓器件，栅极支持20V驱动电压，适用于QR或ACF反激拓扑、图腾柱PFC、逆变器和LLC等软开关应用，采用PQFN8*8封装。

应用案例：

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镓未来G2N70R480PC-LS

镓未来G2N70R480PC-LS是一颗耐压700V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻480mΩ，栅极耐压支持±20V，采用DFN5*6-8L封装。G2N70系列场效应晶体管是一款混合型常关氮化镓（GaN）功率器件，具备全球宽禁带半导体中最稳健的栅极结构与最低的反向压降。该系列器件支持简易栅极驱动方案，提供业界领先的性能表现与卓越的可靠性保障。

应用案例：

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充电头网总结

镓未来旗下氮化镓器件凭借高耐压、低导阻、高可靠性等优势，被小米、安克、联想、DJI、LG等多领域知名品牌广泛应用于各类电源产品中。这些产品涵盖了USB-C PD快充小功率到大功率的全功率范围，并通过采用镓未来的氮化镓器件，实现了更高的能效和更小的体积，为电源产品提供了多元化的解决方案，推动了电源行业向高性能、便携化方向发展。

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