在全球碳中和战略深入推进的关键节点，第三代半导体正成为突破能源转换效率瓶颈的核心力量。珠海镓未来科技有限公司 Gen3 技术平台650/700V系列场效应晶体管（FET）近期正式宣布全面推广上市！该系列产品将从器件可靠性、效率最大化、应用集成度等方面重新定义功率半导体性能边界，其核心突破将为消费电子、新能源汽车、光伏逆变器等多领域带来革命性的能效跃升。

#1 Gen3 技术平台亮点

技术跃升（相较 Gen2）：

打破性能边界的六大核心突破

卓越栅极性能：兼容传统驱动架构

Gen3 技术平台采用创新栅极设计，实现所有宽禁带器件中最强的栅极鲁棒性，栅极驱动简单且与传统 Si MOSFET 完全兼容。这一特性使现有产线无需大规模改造即可实现技术升级，显著降低客户导入成本。

超低反向电压降：同规格产品最低水平

Gen3 技术平台实现同规格产品最低的反向电压降特性，较行业平均水平降低25%，显著减少续流损耗。在高频开关应用中，这一优势可使整体系统效率提升0.3-0.5个百分点，特别适用于新能源汽车主逆变器和高频 DC/DC 转换器。

芯片面积持续优化：DPW 相对 Gen2 优化33%

通过引入新工艺设备，Gen3 平台成功攻克了老产线的制造桎梏。我们采用更紧凑的互连结构与低延迟栅极优化布线，显著降低了互连部分占地面积。凭借工艺与结构的协同创新，平台 DPW 相对提升33%，FOM 相对优化15%，达成了更小尺寸与更强性能的完美统一。

产品效率跃升：器件损耗相对降低5%**

在约2500W的输出功率（P-out）下，效率高达99.3%，进一步实现性能跃升。

（**是指在测试电路 Boost 半桥升压电路 240Vin-400Vout 中得到）

热性能优化：持续稳定运行的最优解

在最大输出功率约7700W的严苛条件下，相同 Rds(on) 器件实测温升降低8.6℃，相对降幅高达66%。显著提升系统在持续高功率运行时的稳定性和寿命。

ESD 能力增强：较上一代相对提升50%，全面实现≥2000V（HBM&CDM）

封装类型：

近20种封装满足全场景应用

Gen3 技术平台提供全面的封装解决方案，覆盖从消费电子到工业级应用的全场景需求：

支持包含 TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK 等全系列近20种封装。

八项核心技术特点：

构建差异化竞争优势

D-mode GaN 低损耗封装：采用创新封装结构，寄生电感降低30%，高频开关性能优异；

调速 GaN 功率器件：可灵活调节开通速度而不增加开通延时，同时不牺牲效率，适配不同应用场景的动态需求；

无损电流采样器件：集成高精度电流检测功能，无需额外采样电阻，提高系统效率；

合封 IC 技术：将驱动电路与功率器件集成，简化外围设计，缩小应用体积；

ESD 增强设计：全面实现 HBM 与 CDM 模式下≥2000V的静电防护能力，可靠性进一步巩固；

双向器件结构：单一芯片实现双向导电功能，简化双向变流器拓扑；

内绝缘封装技术：模块内部集成隔离设计，提高系统安全性，降低散热需求；

车规级可靠性：完全符合汽车 AEC-Q101 标准。

#2应用领域：多元生态场景释放能效革命红利

Gen3 技术平台凭借卓越性能，已覆盖多个战略领域，将为各行业带来更多颠覆性的能效提升。

【消费电子】

镓未来已与联想、大疆、LG、惠普、台达、小米等多家 PD 快充适配器头部企业达成量产合作，助力多款“小体积、大能量”适配器走进用户生活，持续推动高效、高速的科技发展浪潮。

【工业与能源】

镓未来凭借业界首款3.6kW双向储能逆变器及效率高达98%的3kW通讯电源等成果，奠定了在工业与能源领域的稳固地位。

【交通电动化】

镓未来 G3E65R009 系列——全球 Rdson 最小的650V氮化镓分立器件，IDS (pulse) 实测可达1500A，是全球通流能力最大的 GaN 分立器件，目前已与多家头部车厂及供应商开启研发验证。

此外，镓未来 Gen3 系列产品的应用已广泛覆盖 LED 照明、高性能计算、家电与电机等多个领域。同时，面对 AI 等智能化领域的快速发展，公司正通过持续的技术迭代与产业升级，积极开拓新的合作机会与技术切入点。

镓未来 Gen3 系列产品凭借其卓越的可靠性、更高效率与更小体积，正日益成为电源设计工程师的优选方案，助力合作伙伴实现更高效、更便携、更稳定的产业升级。