前言

氮化镓自高压领域率先进入消费级快充市场以来，凭借高击穿场强、低导阻与高速开关特性，使充电器功率密度与效率实现了质的飞跃，产品体积较硅基方案缩小了一半以上，迅速成为“小体积快充”的代名词。然而，相较于高压GaN在AC-DC领域的全面普及，低压氮化镓在过去长期处于探索阶段，受制于成本与驱动兼容性等因素，难以形成规模化应用。

近年来，随产能提升及生态的完善，低压GaN终于迎来发展拐点。为此，英诺赛科深度布局150V等级低压氮化镓器件矩阵，通过在多个层面的突破，为高频电源应用带来新的可能。

英诺赛科推出多款150V低压氮化镓

充电头网了解到，英诺赛科目前推出五颗150V低压氮化镓单管，导阻覆盖3.9~7mΩ，封装提供FCQFN、En-FCQFN以及LGA三种封装形式。

英诺赛科INN150FQ032A

英诺赛科推出的 INN150LA070A 是一款硅基氮化镓，采用FCLGA 3.2×2.2封装。该器件具备极低的7 mΩ导阻，能够在高频、高效率场景中显著降低损耗，实现更高的功率密度与系统效率。凭借零反向恢复电荷特性，INN150LA070A 可在高速开关应用中提供更理想的EMI表现。

INN150LA070A适用于同步整流、Class-D音频、PD快充、高频DC-DC转换器、通信基站以及电机驱动等领域。

英诺赛科INN150EQ032A

INN150EQ032A是一款由英诺赛科推出硅基氮化镓，耐压150V增强型氮化镓，采用紧凑的En-FCQFN 4×6封装。该器件基于氮化镓E-mode，具备3.9 mΩ导阻与低栅极电荷，可在高频、高效率的功率转换场景中发挥优异性能。凭借其优良的性能表现，INN150EQ032 能有效减小系统损耗与体积，为高功率密度设计提供理想的开关器件选择。

INN150EQ032A适用于同步整流、Class-D音频、PD快充、高频DC-DC转换器、通信基站以及电机驱动等领域。

英诺赛科INN150FQ070A

英诺赛科推出的INN150FQ070A为硅基氮化镓，采用紧凑的FCQFN 4×6封装形式。该器件具备150V的耐压能力，导阻为7 mΩ，具备极低的栅极电荷，在高频、高效率电源设计中表现出色，能够有效降低开关损耗并提升系统转换效率。

该器件凭借超低导通损耗、极小封装尺寸与优异的开关特性，INN150FQ070A适用于高频 DC-DC 转换器、PD快充、电信电源、太阳能微型逆变器及电机驱动等场景。

英诺赛科INN150EQ070A

英诺赛科INN150EQ070A是一颗耐压150 V硅基的氮化镓，采用En-FCQFN 4×6封装，导阻7 mΩ，具备低栅极电荷特性，在高频、高效率电源设计中表现出色，能够有效降低开关损耗并提升系统转换效率。

该器件凭借超低导通损耗、极小封装尺寸与优异的开关特性，INN150EQ070A适用于高频 DC-DC 转换器、PD快充、电信电源及电机驱动等场景。

英诺赛科INN150LA070A

英诺赛科INN150EQ070A是一颗耐压150 V硅基的氮化镓，采用En-FCQFN 4×6封装，导阻7 mΩ，具备低栅极电荷特性，在高频、高效率电源设计中表现出色，能够有效降低开关损耗并提升系统转换效率。

该器件凭借超低导通损耗、极小封装尺寸与优异的开关特性，INN150EQ070A适用于高频 DC-DC转换、D类音频放大、电信电源及电机驱动等场景。

充电头网总结

低压氮化镓正从实验室与示范应用加速走向主流市场。其凭借更低的导通损耗、更高的开关频率与更紧凑的封装设计，正在广泛渗透至PD快充、车充、电机驱动、音频放大与通信电源等多元场景，推动电源系统效率与功率密度的双重提升。随着8英寸晶圆产线的产能稳步提升，低压氮化镓在未来有望加速在下一代电子产品中的渗透率。