前言

近期，充电头网获悉，中国科学院物理研究研究员陈小龙由于在第三代半导体材料领域的持续贡献，于2025年11月21日正式当选中国科学院院士，成为我国材料科学领域又一重要代表人物。

（数据来源：人民网）

在全球第三代半导体竞争加剧的时代，中科院院士陈小龙带领团队成功在碳化硅晶体生长、宽禁带半导体材料创新、晶体材料开发等领域做出系统性贡献，实现了多项科研突破，推动成果走向产业化，为我国半导体战略材料自主可控奠定了坚实基础。

陈小龙带领团队实现SiC制备“卡脖子”难题

碳化硅为第三代半导体材料的核心材料，长期面临晶体生长难度高、设备依赖进口等瓶颈。为解决这些卡脖子问题，陈小龙带领团队在长期研究中取得了一系列原创突破。

陈小龙院士提出电场-磁场-热场耦合晶体生长方法，改善了晶体的热场分布与生长稳定性，突破了大尺寸SiC晶体扩径难题，建立固-液界面能调控生长机制，通过助溶剂设计成功在异质籽晶上外延3C-SiC，解决立方相碳化硅难以大尺寸生长的技术壁垒。

他带领团队率先制备3C-SiC晶体，质量达到可实际应用水平，并在界面态密度等关键指标上取得进展，并高效推动碳化硅材料国产化进程，使我国在SiC衬底领域实现从无到有、从跟跑到突破。

这些成果提升了我国在第三代半导体材料方面的自主创新能力，为新能源汽车、储能、功率器件等产业的发展提供了关键支撑。

陈小龙推动SiC材料产业化

于此同时，陈小龙不仅在基础研究中取得突出成就，更积极推动材料成果产业化，主导建立国内领先的碳化硅晶体生产体系，提高国产SiC材料的质量与供应能力。通过“完善基础研究——技术攻关——工艺验证——产业落地”全链条，为我国半导体供应链提供支撑。

现如今，陈小龙在国际材料科学界具有广泛影响力，累计在Nature Chemistry、Phys. Rev. Lett.、JACS等期刊发表论文470余篇，累计引用超过13,600次，单篇最高引用超过 1100 次。并拥有70余项发明专利，并参与制定3项国家标准。陈小龙在学术成果产出、人才培养以及推动学术方向发展等方面均做出了杰出贡献。

充电头网总结

近20余年来，陈小龙凭借“意义重大、组成产业发展“两兼顾的理念，从带领团队零开始SiC单晶材料国产化研究，成功突破SiC外延片生长环节难题，最终实现8英寸SiC晶体的稳定生长，成功打破该领域“卡脖子”难题，加速我国宽禁带半导体发展步伐，促进有关行业走线世界前列。本次陈小龙当选中科院院士可谓是实至名归，值得行业铭记。