前言

高压氮化镓器件在快充、电源模块、服务器电源等场景加速渗透，但对工程师来说，选哪种封装也是一大难题，封装会影响寄生参数与开关损耗、散热路径与温升、装配方式与可靠性，也会影响整机的功率密度、成本与量产一致性。可以说在当下封装选型已经成为高压GaN落地的关键一环。

为看清行业真实偏好与演进方向，充电头网对市面常见高压氮化镓器件进行汇总统计，覆盖数十家厂商、四百余款产品，并对各类封装的数量占比进行梳理。下文将结合这些器件，解读当前高压GaN市场在押注哪些封装路线。

高压氮化镓

本次参与统计的高压氮化镓器件如上表所示，共计四百余款产品，覆盖数十家知名功率器件厂商，下文我们将为您介绍现阶段出场次数最高的封装类型。

封装类型占比

从占比看，封装明显呈现二八结构：DFN封装151颗（占比32.83%）与TO封装123颗（占比26.74%）合计274 颗（累计占比59.57%），占到接近六成，是当下主流。第二梯队主要是QFN封装39颗（占比8.48%）、TOLL封装35颗（占比7.61%）、PQFN封装34颗（占比7.39%），再往后是TOLT封装 22颗（占比4.78%）、VQFN封装17颗（占比3.70%）。

其他类型封装相对较少，DPAK封装11颗（占比2.39%）、ThinPAK封装6颗（占比1.30%），以及 SOT/BHDFN/DSO/TFLGA 这几类封装各4颗（占比0.87%）、CCPAK封装2颗（占比0.43%）；而InSOP/QFM/HDFN/XDFN这几类封装各1颗（占比仅为0.22%）。更多对应特定产品线。

出现这种结果通常与应用功率段与行业普遍应用偏好有关：DFN/QFN/PQFN/VQFN等无引脚封装寄生参数小、环路更短，有利于高频开关与效率，同时占板面积小、适配高密度电源，此外，很多器件还能通过底部散热焊盘把热量直接导入PCB铜箔，便于批量SMT生产。TO类封装则在需要更直观散热路径、较大功率/更高耐压或更强机械强度的场景更常用，安装与散热器配合也更成熟。TOLL/TOLT/ThinPAK/DPAK等介于两者之间，强调大电流SMD与热性能平衡，往往集中在特定功率平台；而其他类型封装多是细分需求、历史型号延续或少量项目选择造成的统计分散。