充电头网了解到，1月29日中芯国际在上海总部揭牌成立先进封装研究院，将围绕先进封装前沿方向与共性难题，联动高校与产业链伙伴开展协同攻关，加速从工艺到封装的系统化能力建设，每年将实现约5万片12英寸晶圆产能增加。

在第三代半导体方面，行业信息显示，中芯国际已在SiC/GaN推进8英寸与12英寸等多种技术平台建设，并提出面向客户提供更完整的晶圆代工与技术服务配套，后续也将结合客户需求配合建立相关产能。

对产业链更直接的影响，是12英寸SiC/GaN产能带来的成本降低，从几何面积看，12英寸晶圆可用面积约为8英寸的2.25倍，同样工序摊到更多芯片后，单颗器件的制造分摊成本具备下降空间，若与设备效率、良率提升叠加，将进一步拉动规模化降本。

先进封装研究院的成立，有望利好SiC/GaN器件在快充、电源、AI数据中心等场景的规模应用，并提供更稳定的供给与成本降低，有利于多个行业的方案迭代与量产节奏。