充电头网注意到,罗姆将推出两款高集成临界导通模式PFC控制器BM3GF01MUV-LBZ与BM3GF02MUV-LBZ。该芯片内部直接封装了650V氮化镓开关管,采用VQFN 8×8封装。为高功率适配器提供更紧凑的方案。

针对中大功率的ebike充电器以及人形/四足机器人快充等工业应用场景中,该系列芯片提供了导通电阻仅为70mΩ的型号选项,可显著降低导通损耗,缓解无主动散热设计充电器的发热压力。

该芯片内置了逐周期过流保护、静态过压保护等多重安全机制,还允许工程师通过调整RSR引脚的外接电阻来灵活控制GaN管的关断压摆率,为电源系统提供了EMI调试的便利。

可见这款内置GaN的PFC控制器凭借高效率、低待机功耗以及完善的保护机制,为下一代高密度电源提供了更高效的前级解决方案。

截至发稿日,罗姆BM3GF01MUV-LBZ与BM3GF02MUV-LBZ两款芯片在官网仍标注“开发中”状态。

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