在这样的大环境与市场需求下,士兰微电子针对行业用户需求,推出了SVF65R950CMJ/Q (TO-251插件)/D(TO-252贴片)系列专为小体积快充充电器设计的初级高压MOS。
产品介绍
士兰微SVF65R950CMJ/Q/D沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
产品特色
(1)芯片:士兰微SVF65R950CMJ/Q/D芯片采用平底元胞设计,提高了器件击穿电压;更小尺寸的GR环,提高了器件可靠性;开关速度和EAS能力也有所提高。整体性能与ST的SuperMesh,Fairchild的UniFet技术类似。
(2)封装: 士兰微依托先进的工艺技术将Rdson 0.85欧的高压Mosfet芯片封进TO-251/TO-252封装里面。
(3)性能:此颗料号成功避免了使用Coolmos 的EMI困扰难题,同时减少外围器件,使整个PCB板布局紧凑。
(4)价格:相比TO-262,TO-263, TO-220F等其他封装,SVF65R950CMJ/Q/D这个封装成本具有价格优势,更具备市场竞争力。
目前,士兰微高压mos已经成功导入到魅族、华为、乐视、VIVO、酷派等一线手机品牌充电器供应链,正在大批量出货。需要这款产品样片、PDF和datasheet的小伙伴,欢迎添加充电头网微信号chongdiantou2015免费提供。
关于士兰微
杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年10月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,成为第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。
士兰微电子非常注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和博士后科研工作站,并积聚了一批高水平、掌握了多方面核心技术的研发骨干,拥有研发人员300余人,博士、硕士超过100人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委的高技术产业化、工信部电子信息产业发展基金、杭州市重大科技创新专项等项目。
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