中国氮化镓研发取得重大突破：携多款新品亮相APEC2019

GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。氮化镓具有的优异特性和广泛的应用前景使其成为新一代半导体产业发展的焦点。

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一、英诺赛科8英寸硅基氮化镓惊艳亮相APEC

英诺赛科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海归团队发起，并集合了众多国内外精英联合创办的宽禁带半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。短短三年时间里，凭借其团队雄厚的研发实力和生产技术，在产品开发上取得非常亮眼的成绩，英诺赛科快速成长为国内第三代半导体研发与生产的先锋企业。英诺赛科此次作为中国氮化镓领域的代表企业出席APEC2019，标志着中国8英寸氮化镓产品正式走出国门，亮相国际舞台。

与传统的6英寸相比，英诺赛科8英寸硅基氮化镓晶圆面积增加84%，这将从产业链顶端降低氮化镓器件的成本，对推动氮化镓的普及有着深远意义，引起全球电源应用领域的广泛关注。

不少国外同行纷纷前往展台参观交流，上图为Panasonic松下公司的X-GaN氮化镓产品线相关负责人参观英诺赛科8英寸硅基氮化镓晶圆。

二、英诺赛科多款新品亮相APEC2019

氮化镓应用领域非常广泛，英诺赛科在APEC2019展会上就向大家带来多种基于自家8英寸硅基氮化镓的应用：45W USB PD快充适配器、1KW图腾柱PFC应用、30W LED照明驱动、36W DC-DC Converter、35W车载充电器、5-10W无线充电器。

45W USB PD快充适配器：

输入电压90-264V；输出3.3V-20V/45W，支持USB PD3.0和QC3.0；拓扑结构：有源钳位反激变换器；最高效率：95.1%；尺寸（带机壳）：52mm*43mm*24mm；功率密度（带机壳）：13.7W/ in³。

1KW图腾柱PFC应用：

输入电压范围90-264V；输出：380Vdc/1KW；拓扑结构：图腾柱PFC；最高效率：99.1%；开关频率：65KHz；功率密度：43 W/ in³。

30W LED照明驱动：

输入电压范围90-264V；输出：30W/80V；最大开关频率：840KHz；输出效率：90%以上；Demo尺寸：82mm*16mm*10mm；功率密度：37W/ in³。

36W DC-DC变换器：

输入电压范围16-60V；输出：12V/3A；拓扑结构：同步Buck变换器；最高效率：96.6%@24V输入，1MHz；Demo尺寸：21mm*23mm*6.3mm；功率密度：197W/ in³。

35W车载充电器：

输入电压范围10-28V；输出：5V/7A；拓扑结构：同步Buck变换器；最高效率：96%@12V输入，1MHz；Demo尺寸：21mm*23mm*6.3mm；功率密度：192W/ in³。

5-10W无线充电器：

输入电压范围20V；输出：5.0V/5W-10W；拓扑结构：Φ2逆变器+Buck变换器；开关频率：6.78MHz；充电优点：无需对准，无需紧贴。

三、总结

英诺赛科采用IDM全产业链模式，成功在中国建立了一条涵盖研发、设计、生产、测试、销售、市场、技术支持等在内的完整的GaN产业链，为当前中国第三代半导体制造的领军企业。

以英诺赛科为代表的中国氮化镓企业无疑将促进氮化镓平民化，加速第三代半导体的大面积商用普及，助力5G、人工智能等典型氮化镓应用领域的发展，让大众早日使用上更为先进的技术。

GaN 氮化镓英诺赛科