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首页 › 活动回顾 › 展会 › 纳微半导体第三代半导体快充产业峰会全程回顾

纳微半导体第三代半导体快充产业峰会全程回顾

elevens11
7月 31, 2021展会

如果问起充电器最流行的新技术是什么,那么毫无疑问的就是氮化镓技术。氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料,具有快速开关,高功率密度,低导通阻抗优势,并且在充电器上得到了充分的体现。

纳微半导体第三代半导体快充产业峰会全程回顾-充电头网

在7月30日举办的2021全球第三代半导体快充产业峰会上,纳微半导体展出了多款使用GaNFast氮化镓功率芯片的氮化镓充电器产品。通过使用氮化镓功率芯片,提高充电器的效率,减小充电器的体积,低温并且便于携带。

在展会上,纳微半导体进行了题为《Navitas NetZero: Fast Charging and Environmental Sustainability with GaNFast Power ICs,黑科技中见点点光》的演讲,介绍了纳微半导体氮化镓功率芯片的技术信息,以及纳微半导体为碳净零、可持续发展做出的努力。

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纳微半导体的氮化镓功率芯片采用增强模式,器件内置eMODE的氮化镓开关管,与氮化镓驱动,控制器和保护电路整合。

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纳微半导体的第三代GaNFast方案相比前两代方案具有大幅提升,截止2021年5月份,出货量已经超过两千万个。

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2021年上半年,有多款新品充电器采用了纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片。

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纳微半导体销售与运营总监李铭钊展示华硕300W氮化镓电源,这款电源使用了纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片。

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7 月 31 日氮化镓日,也是纳微半导体吉祥物小氮小镓诞生一周年的日子,小氮和小镓向嘉宾送上了纳微半导体的周边礼品,以及赞助厂商提供的充电器产品,使大家都能感受到氮化镓带来的优势。

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纳微半导体是首家在氮化镓衬底上制造开关管和驱动器的半导体公司,通过整合开关管和逻辑电路在一个封装内部,可得到更低的寄生参数,更短的响应时间。这些优势体现到器件上就是更高的工作频率,更稳定的开关,更迅速的保护。以上优势可提升产品的功率密度,保证产品的可靠性。

氮化镓的性能优势,已经改变了我们使用充电器的习惯,小体积与大功率兼得,便于携带且更加易用。目前氮化镓已经在LED照明得到应用,氮化镓的优势,还可以在更多场合发挥优势。期待氮化镓的普及,能早日实现低碳目标。

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