泰高技术 4
泰高技术的氮化镓射频开关：强劲应对高功率射频设计的王牌
在高功率射频前端（RFFE）设计领域，长期以来，我们一直选择PIN二极管技术作为射频开关的主要方案。这种技术在一定程度上是足够的，因为频段数量有限，电路板空间
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采用8x10 QFN低电感封装，Tagore泰高合封氮化镓半桥芯片TTHB100NM问世
前言
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙复合半导体材料，电压耐受能力比传统硅材料高很多，而且不会影响导通电阻性能，因此可以降低导通损耗。此外，GaN产品的
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内置 TP44100SG 合封氮化镓开关管，泰高技术推出市面首款 240W 氮化镓 USB PD3.1多口快充电源参靠考设计
前言
泰高技术在四月推出了一款采用分立器件的PFC+LLC拓扑的210W氮化镓电源模组方案，这电源模组方案已在知名线上媒体网站获得上万播放量，网友们评论
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泰高技术推出210W氮化镓电源方案，内置TP44200合封氮化镓器件
说起氮化镓功率器件，主流的解决方式就是单管和合封，氮化镓单管搭配专门优化的控制器，在反激架构的快充中得到了广泛的应用。但在大功率的电源中，通常使用较高频率来缩
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