一颗耐压150V，导阻为3.9mΩ的NMOS，采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能，并通过优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，将开关损耗降至更低。