智融科技最新推出的合封氮化镓 SW1188H / SW1188HS 在继承前代高集成化优势的同时，通过降低功率开关导通电阻并优化准谐振控制策略，有效提升了导通与开关损耗性能，改善热管理表现，进而在保证高功率输出的前提下实现更小的体积、更轻的重量与更高的功率密度。配套的 SW1608、SW2303/ SW3516P 等外围芯片与完整的 demo 套件，使得从样机验证到量产导入的路径更加顺畅，可有效缩短研发周期并降低工程风险。
从产品实现角度看，SW1188H / SW1188HS 不仅适配 45W—65W 等主流快充档位的单口与多口方案，还能通过低导通电阻带来的热裕量为更高持续功率或更紧凑的散热方案提供空间；芯片所支持的多模式工作与智能谷底导通技术，则有助于在不同负载工况下兼顾轻载效率与 EMI 表现，满足实际产品对能效、兼容性与合规测试的要求。
当前合封氮化镓的快速推进代表了充电器设计正从集成度更高的方向演进，厂商越来越重视通过器件集成度与参考设计来降低 BOM、缩短开发周期并提升产品差异化竞争力。SW1188H / SW1188HS此类高度集成且提供完善生态支持的器件，将进一步促进中小型品牌与代工厂在体积、成本与性能之间取得更优的平衡，从而推动更广泛的 GaN 应用落地，加速市场上高能效、小型化快充产品的普及。
SW1188H 采用 ESOP-10W 封装，便于小型电源设计的热管理与布板。除此之外，针对小型化私模定制框架设计，智融科技还提供SW1188HS型号，采用QFN5x6封装。智融科技也为 SW1188H 开发了若干 demo ，可帮助终端厂商快速完成功能验证并加速量产。
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