充电头网获悉，英飞凌近期推出EVAL_QDPAK_FB_V2_1全桥评估板，用于评估顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC 第二代750V MOSFET开关表现，并给出一套可复用的高速开关PCB实现范例。

该评估板集成4颗750V G2 SiC MOSFET与配套EiceDRIVER隔离栅极驱动（并提供隔离供电与必要的环路终端/直流母线支持），采用全桥拓扑，并通过优化功率回路来支撑高速开关测试与波形观测。板上还预留专用电压探测点，便于快速获取关键电压波形数据；同时支持开展单脉冲/双脉冲等电气实验，用更直观的方式观察SiC器件的开关动态特性。

对研发与方案导入而言，这块板的价值不只在“测得快”，更在“做得对”，它将顶部散热封装的器件放置、回流路径、驱动与探测点布局等落到可参考的PCB实现上，适合作为新一代宽禁带器件在车载高压平台中的布局与验证起点。官方同时提供评估板指南、原理图与PCB布局等全套资源，便于工程团队快速复现与二次开发。

上述评估板适用于高压DC-DC变换器、车载充电机、燃料电池电动汽车动力总成系统、电动汽车充电等场景应用。

另外，英飞凌近些年在新能源汽车领域的布局中，可概括为“材料+系统+产能”三线并进。在功率端以SiC为核心，重点覆盖牵引逆变器、OBC与高压DC-DC，推出车规模块，并以隔离栅极驱动、评估板/参考设计完善高速开关导入链路。

在控制与管理端，以BMS电芯监测/均衡器件配合AURIX MCU与OPTIREG PMIC，形成从功率到控制的系统级方案。

在供给侧推进8英寸SiC工艺与产能建设，提升规模化交付能力。同时通过与车企的平台合作与长单锁定项目，并购GaN Systems补齐氮化镓产品线，以应对更高效率、更高功率密度的市场需求。