近日，英诺赛科发布最新高边同口BMS方案INNDBMS120HA1，基于自研双向氮化镓（VGaN）器件与配套驱动IC，面向储能与动力等应用场景提供更简化的系统实现路径。

充电头网获悉，INNDBMS120HA1方案由自研高压侧驱动芯片INS1012SE搭配100V VGaN功率器件 INV100FQ030C 组成，通过高边同口架构实现保护策略与系统集成的同步优化。

该方案将开关器件布置在电池正极通路，保护动作时可直接切断正极通路；同时电池包与系统端保持共地，可避免保护触发后通信中断问题，减少对额外隔离电路的依赖，从而降低系统复杂度与静态功耗。核心器件INV100FQ030C具备无体二极管、双向对称阻断特性，可用单颗器件替代传统背靠背双Si MOS配置；其导通内阻3.2mΩ，采用4mm×6mm小封装，有助于节省板级空间、降低发热并优化系统成本。

该方案已完成120A持续放电与1200A以上短路保护等测试，温升控制表现稳定，适用于对可靠性要求较高的BMS应用。

放眼行业，INNDBMS120HA1是英诺赛科围绕多元应用需求搭建的系统化方案中的一环。目前英诺赛科已从拓扑结构、功率等级与驱动技术等维度，规划并推出多款参考方案与器件组合，为工程师提供更清晰的选型思路与落地路径。