英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成,我们相信GaN可以改变世界,我们的目标是以更低的价格,向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件,并且实现GaN技术在市场的广泛应用。

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资讯
知名功率器件厂商推出TOLL功率器件
前言
近年来,功率器件领域的创新持续不断。为提高电源的功率密度与转换效率,各功率器件厂商纷纷投身于更新型功率器件封装工艺及形态的探索。如今...
英诺赛科推出顶部散热Dual-Cool GaN,显著提升系统热性能
前言
早在今年2月,英诺赛科便宣布率先量产采用顶部散热Dual-Cool En-FCLGA封装的100V氮化镓器件INN100EA035A...