英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成,我们相信GaN可以改变世界,我们的目标是以更低的价格,向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件,并且实现GaN技术在市场的广泛应用。

Innoscience 英诺赛科
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英诺赛科推出多款氮化镓功率器件,在多款大牌LLC大功率快充批量应用
前言
近年来,从充电头网多款拆解报告中我们可以看到,英诺赛科推出的GaN功率器件广泛应用于大功率快充LLC电路中。在传统的LLC电路中常常...
高压半桥氮化镓芯片大盘点,十大厂商产品各具亮点
前言
传统分立器件组合的电路方案往往存在外围器件多、驱动设计复杂、PCB面积占用大等问题。随着氮化镓功率器件的不断成熟,厂商们逐渐将驱动与...
知名功率器件厂商推出TOLL功率器件
前言
近年来,功率器件领域的创新持续不断。为提高电源的功率密度与转换效率,各功率器件厂商纷纷投身于更新型功率器件封装工艺及形态的探索。如今...
英诺赛科推出顶部散热Dual-Cool GaN,显著提升系统热性能
前言
早在今年2月,英诺赛科便宣布率先量产采用顶部散热Dual-Cool En-FCLGA封装的100V氮化镓器件INN100EA035A...



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