剑指汽车高压超充，英飞凌发全新SiC模块

充电头网获悉，英飞凌近期推出了三款共源极配置的62mmC-Series半桥碳化硅模块，分别为FF1MR12KM1H、FF3MR12KM1H与FF5MR20KM1H。该系列产品具备高电流密度和低开关损耗等特性，为电动车直流充电、DC/DC变换器及储能系统提供了底层支持。

其中，FF1MR12KM1H与FF3MR12KM1H两款模块专为1200V电压平台设计。FF1MR12KM1H的植入漏极电流为560A，FF3MR12KM1H为280A。在实际应用中，两款模块契合当前主流的800V直流快充桩，可作为内部高频整流或DC/DC变换级的关键器件，借助碳化硅的低损耗优势大幅提升充电模块的功率密度。

英飞凌同步推出了具备耐压更高的FF5MR20KM1H模块。其漏源极电压高达2000V，植入漏极电流为200A。该产品重点面向DC/DC变换器与高频开关应用。在1500V级的下一代超充或兆瓦级商用汽车快充架构中，2000V器件允许工程师采用更精简、可靠的两电平拓扑，直接突破了传统1200V器件需复杂串联的工程瓶颈。

工业级高可靠性此次发布的三款模块均采用成熟的62mm封装，具备4kV交流1分钟绝缘能力。产品根据IEC60747、60749和60068标准的相关测试，完全符合工业应用的要求，为建设高效的大功率充电基础设施提供了坚实的基础。