ST意法半导体近期推出 MasterGaN6，正式开启 MasterGaN 半桥系列的第二代产品布局。

该器件采用 PSiP 封装集成方案，在单封装内集成两颗增强型 GaN 功率晶体管与高压高频驱动器，主打更高集成度、更高开关频率以及更紧凑的电源设计，面向消费级与工业级电源应用。

目前 MasterGaN6 已进入量产状态。

MasterGaN6 集成耐压 650 V氮化镓晶体管半桥，半桥高低边导通电阻典型值均为 140mΩ，最大输出电流为 10A，采用 9×9×1mm TFQFPN 封装。器件内部集成高低边驱动稳压电路和自举二极管，驱动传播延迟为 45ns，最小脉宽为 35ns ，有利于提升高频开关场景下的效率与功率密度表现。

MasterGaN6 还集成 UVLO、交叉导通防护和热关断保护，并提供待机、关断及故障指示引脚，输入控制兼容 3.3V 至 15V 电平，便于与控制器、MCU 或 DSP 直接配合。

这颗器件可覆盖 LLC、有源钳位反激、谐振反激以及同步反相 Buck 等多种拓扑，适用于充电器、适配器、照明电源及工业电源等应用，进一步体现出 GaN 集成方案在简化设计和缩小体积上的价值。