功率之心近期通过专业拆解发现，台达一款1600W服务器电源在12V大电流输出端采用了3颗富鼎先进AP2602MT MOSFET作为VBUS开关管。

该器件耐压25V，导通电阻低至0.99mΩ，采用PMPAK 5×6封装，直接进入最高132A的输出链路。

在服务器电源持续向高功率、大电流方向发展的背景下，低压输出侧对MOSFET的导通电阻、载流能力以及散热性能提出更高要求。

此次AP2602MT应用于台达服务器电源，也体现出富鼎先进低压大电流MOSFET在服务器电源中的实际应用。

台达1600W服务器电源

DELTA台达DPS-1600AB-37 A服务器电源支持100-120V、200-240V交流输入，同时支持240V直流输入。

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在100-120V交流输入下，电源最大输出功率为1000W，主路输出12V 83A；在200-240V交流输入或240V直流输入条件下，最大输出功率提升至1600W，主路输出达到12V 132A，并提供12V 2.1A待机输出。

电源内部采用PFC+半桥LLC+同步整流架构。经过同步整流及输出滤波后，12V主路还设置VBUS开关管，对最终输出进行控制。

3颗富鼎先进AP2602MT负责输出VBUS控制

通过拆解可以看到，台达在输出侧采用了3颗富鼎先进AP2602MT，其中一颗位于PCBA正面，另外两颗布置在背面，三颗器件均作为VBUS开关管使用。

富鼎先进AP2602MT是一款N沟道功率MOSFET，耐压25V，导通电阻低至0.99mΩ，采用PMPAK 5×6封装。

该系列通过低导通电阻设计降低大电流传输过程中的导通损耗，同时封装具备背部散热设计，适合DC-DC转换以及低压大电流电源应用。

对于这款12V 132A服务器电源而言，输出侧电流已经达到百安级。VBUS开关管串联在主输出路径中，其导通电阻会直接影响功率损耗和温升，因此需要尽可能降低器件阻抗。

AP2602MT将导阻控制在毫欧以下，通过3颗器件共同承担输出端的大电流通路，有助于降低输出链路损耗，并减轻高负载条件下的散热压力。

总结

台达DPS-1600AB-37 A在1600W输出状态下需要持续提供12V 132A的大电流，除了同步整流环节之外，输出VBUS控制同样需要面对较高的导通损耗和散热压力。

此次台达采用3颗富鼎先进AP2602MT进入输出链路，以0.99mΩ低导阻MOSFET承担百安级VBUS控制，也让这颗器件的应用从常见低压电源进一步延伸至服务器大功率供电场景。

对于服务器电源而言，高压侧的SiC、GaN受到较多关注，而在12V、48V等低压大电流链路中，低导阻硅MOSFET依然是降低损耗、提升功率密度的重要一环。