一款服务器电源里同时出现24颗同型号MOSFET，并不常见。甲骨文这款3060W服务器电源就在同步整流部分大规模采用了英飞凌BSC016N04LS G，并以每路3颗并联的方式承担12.3V 244A输出。如此高的器件用量，也让这颗40V低阻MOS成为整机低压大电流输出部分的核心器件之一。

功率之心通过专业拆解了解到，该器件耐压40V，在VGS=10V条件下最大导通电阻仅1.6mΩ，并采用SuperSO8封装，适合服务器电源低压大电流同步整流应用。

甲骨文3060W服务器电源

甲骨文这款服务器电源型号为SPAORCL-01G，支持200-277V交流输入以及240-380V直流输入，主输出规格为12.3V 244A，另设12V 5A待机输出，最大输出功率达到3060W。

这款服务器电源采用长条形结构，内部PCBA同样采用狭长布局。主板左侧为输入滤波区域，中部为PFC升压电路，右侧则为LLC转换及低压输出部分。

PFC区域设置整流桥、PFC开关管、PFC整流管、高压滤波电容以及PFC升压电感；后级则采用LLC谐振转换，并通过同步整流完成12.3V低压大电流输出。

PCBA模块背面设有贴片谐振电容，用于驱动栅极驱动变压器的驱动器，滤波电容等元件。

拆解发现，甲骨文这款服务器电源同步整流部分共设置了24颗英飞凌BSC016N04LS G，每一路由3颗MOSFET并联，共同承担12.3V 244A主路输出的同步整流工作。

英飞凌BSC016N04LS G

英飞凌BSC016N04LS G是一颗OptiMOS 3系列N沟道功率MOSFET，主要面向服务器、台式机开关电源中的同步整流，同时也可应用于高速DC-DC转换器以及电机控制等场景。器件具备低导通电阻，并针对栅极电荷与导通电阻乘积进行了优化。

BSC016N04LS G耐压为40V，在VGS=10V、ID=50A条件下，典型导通电阻为1.3mΩ，最大导通电阻为1.6mΩ；在VGS=4.5V、ID=50A条件下，典型导通电阻为1.8mΩ，最大为2.3mΩ。

并且在TC=25℃、VGS=10V条件下，BSC016N04LS G连续漏极电流额定值为100A，脉冲漏极电流最高达到400A。器件单脉冲雪崩电流额定值为50A，单脉冲雪崩能量达到295mJ。

芯片典型输入电容为8900pF，典型输出电容为1800pF，典型反向传输电容为100pF。在VGS从0V变化至10V、VDD=20V、ID=30A条件下，典型总栅极电荷为113nC，典型栅漏电荷为11nC，典型开关电荷为23nC。器件典型输出电荷为69nC。

在VDD=20V、VGS=10V、ID=30A条件下，BSC016N04LS G典型开通延迟时间为14ns，典型上升时间为7.6ns；典型关断延迟时间为56ns，典型下降时间为9.4ns。

器件最高工作结温为150℃，最大功耗为139W，结到外壳热阻最大为0.9K/W。BSC016N04LS G采用SuperSO8 5×6封装，对应英飞凌PG-TDSON-8封装形式，在较小的封装尺寸下提供低导通电阻，适合高功率密度开关电源应用。

此次甲骨文3060W服务器电源主路输出达到12.3V 244A，同步整流部分共采用24颗BSC016N04LS G，并按照每一路3颗并联的方式配置。多颗MOSFET共同分担百安级输出电流，可降低单颗器件承受的电流以及相应导通损耗。

甲骨文这款3060W服务器电源一次采用24颗英飞凌BSC016N04LS G完成同步整流，器件在整机中的用量相当可观。相比单纯追求更高的单管电流能力，这类超大电流输出更强调多颗MOSFET并联后的损耗分摊、温升控制和长期稳定性。

从这次的专业拆解来看，BSC016N04LS G凭借低导通电阻和SuperSO8封装，被大规模用于3000W级服务器电源次级侧，能看出来低导阻、小封装功率MOSFET在这类电源中的用量和重要性，也将继续提升。