前言

充电器的快充水平随着这几年的高速发展，原有的PD3.0协议的100W输出上限，限制了100瓦以上的快充产品发展，但接下的PD3.1协议把功率最高定在了240W，刺激了快充市场的进一步飞速发展，同时促进的快充最重的部件之一的氮化镓芯片的发展，得益于氮化镓技术的加持，210W的充电器，体积与传统充电器相当，不仅体积得到有效控制，高转换效率，也降低了充电器的温度。

纳微半导体牵手小米集团

10月27日，小米旗下 Redmi Note 12 探索版正式发布，牵手氮化镓功率芯片行业的领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS），给大家带来了210W“神仙秒充”的快充技术充电器，实现9分钟充满，成功将快充速度拉到个位数时代。此外还有Redmi Note 12 系列中，Redmi Note 12 Pro+的120W氮化镓超快充也搭载了纳微全新GaNSense™技术的新一代GaNFast™氮化镓功率芯片。

Redmi Note 12探索版全球首发了联发科最新的天玑1080芯片，采用了一块支持120Hz高刷的6.67英寸的类钻排OLED屏幕。摄像方面采用了前置1600万像素摄像头，后置2亿主摄的组合，实现了移动影像的新飞跃，再加上配备210W的“神仙秒充”，配置直接堆满！

作为Redmi Note 12系列的重头戏，Redmi Note 12探索版配备的210W“神仙秒充”，内置纳微NV6127和NV6136A两颗氮化镓功率芯片，创新地采用了纳微首创的PFC+ACF/QR混合平台，此平台前级PFC使用一颗NV6127氮化镓功率芯片，后级ACF/QR混合采用一颗NV6136A氮化镓功率芯片，在高频QR成熟、稳定的控制方式基础上，增加ACF电路功能，较单独的QR或ACF平台，既拥有优异的效率及低电压应力表现，又具备稳定成熟的控制方式及良好的噪音优化能力，保证发挥“神仙秒充”的全部功力。

210W“神仙秒充”得益于纳微半导体的高效氮化镓芯片。让该充电器在等效4300mAh电池下，5分钟就能充至66%，9分钟即刻充满，这标志着手机充电时长成功进入个位数时代。这款具有划时代意义的210W充电器，尺寸更是惊人，约为67.4×64.69×29.79mm (130cc)，功率密度高达1.62 W/cm³。

同样作为Redmi Note 12系列中另一款Redmi Note 12 Pro+标配的120W氮化镓充电器也是内置了纳微半导体的一颗NV6136A氮化镓功率芯片，使用GaNSense™️技术，用于高频QR拓扑中。成功实现120W充电器的功率密度达到1.25W/cm³，比传统的硅方案体积缩小了10.8%，尺寸仅为59.4×56.2×28.8mm (96cc)，仅需19分钟就能将电池快速充满。

小米集团合伙人、总裁王翔称“我们很高兴再次与纳微半导体合作，Redmi Note 12探索版所搭载的210W神仙秒充再次刷新了手机充电体验，使手机快充时长真正进入了个位数时代。小米始终坚持对产品品质的极致追求，同时也与全球优秀的企业伙伴一起，用创新推动科技产品进步，为消费者带来更加美好的科技生活体验。”

纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰表示“纳微团队对Redmi手机再次选用纳微氮化镓方案感到由衷自豪和兴奋，同时我们也很高兴地看到纳微首创的PFC+ACF /QR混合平台不负使命，助力Redmi Note 12 探索版树立业界新标杆。Electrify Our World™是纳微半导体的使命，我们将持续推动氮化镓技术革新，帮助小米及小米旗下更多品牌的充电产品，打造更领先、更强大、更环保的电源产品。”

关于纳微半导体

纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，已发货超过5000万颗，终端市场故障率为零，于业内率先推出20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。