前言
随着快充的飞速发展，快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升，同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业，拥有创新，稳定，高效率，低成本的整体解决方案，同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件，以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。
威兆应用案例
本次充电头网汇总了近几年的产品拆解中，涉及到威兆同步整流管家族中的产品应用案例，通过整合发现，威兆的同步整流管方案十分受欢迎，给充电器带来了许多的潜在好处。
低压同步整流管
VSP009N10MS
威兆VSP009N10MS常用于同步整流的MOS管，耐压为110V的NMOS，采用PDFN5X6封装，使用5V逻辑电平控制。
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VS2508AE
威兆VS2508AE常见放置于VBUS开关管位置，采用PDFN3333封装，耐压为20V的PMOS，导阻值为7.3mΩ。
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VS2522AA2
威兆VS2522AA2的是耐压为20V的PMOS管，21mΩ导阻，在实际应用中，使用两颗威兆VS2522AA2对向串联，可以防止电流倒灌。
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VS3506AE
威兆VS3506AE用于输出VBUS开关管，采用PDFN3333封装，6mΩ导阻，耐压30V的PMOS。
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VS3508AE
威兆VS3508AE常用于USB-C接口输出的VBUS开关，采用PDFN3333封装，8.5mΩ导阻，耐压30V的PMOS。
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VS3508AS
威兆VS3508AS用于输出VBUS开关管和输出电流采样电阻，P-MOS，耐压30V，使用5V逻辑电平控制，SOP8封装规格。
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VS3509AE
威兆VS3509AE用途是输出VBUS开关，PMOS，耐压30V，8mΩ导阻，采用PDFN3333封装。
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VS3510AE
威兆VS3510AE用于输入保护，PMOS，耐压30V，导阻10mΩ，采用PDFN3333封装。
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VS3518AE
威兆VS3518AE为USB-C口输出的VBUS开关，采用PDFN3333封装规格，耐压30V的PMOS，导阻15mΩ。
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VS3522AA
威兆 VS3522AA PMOS，耐压30V，使用5V逻辑电平控制，采用DFN2x2x0.75-6L封装规格，常用于DC插孔输入切换。
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VS3522AE
威兆VS3522AE常用于输出开关管，PMOS，耐压30V，使用5V逻辑电平控制，导阻为22mΩ，采用PDFN3333封装规格。
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VS3610AE
威兆VS3610AE为VBUS开关管，NMOS，耐压30V，PDFN3333封装，使用5V逻辑电平控制，用于为USB-C口输出同步整流降压。
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VS3618AE
威兆VS3618AE为 USB-C口输出VBUS开关，NMOS，耐压30V，导阻6mΩ，使用5V逻辑电平控制，采用PDFN3333封装规格。
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VS3618AP
威兆半导体的VS3618AP MOS管，NMOS，耐压30V，导阻5.4mΩ，使用5V逻辑电平控制，常用于产品中的同步升降压。
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VS3618BE
威兆半导体VS3618BE的MOS管耐压30V，NMOS，导阻5.2mΩ，PDNF3333封装，逻辑电压驱动，在产品中多用作VBUS开关。
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VS3622AE
威兆VS3622AE使用5V逻辑电平驱动，NMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装。四颗组成H桥，用来驱动无线充电线圈。
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VS3622DB
威兆半导体的双N MOS管，型号VS3622DB，耐压30V，由5V逻辑电平驱动，用于同步整流降压输出，双管集成性能提升。
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VS3622DE
威兆VS3622DE 双NMOS管，耐压30V，导阻10mΩ，使用5V逻辑电平控制，用于两组线圈的切换，两路输出端口的独立保护。
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VS3622DS
威兆VS3622DS耐压30V，NMOS，使用5V逻辑电平控制，采用SOP8封装规格，常作为USB-A2口的输出VBUS开关出现。
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VS3622DP2
威兆 VS3622DP2 双NMOS管，用于无线充电线圈驱动。使用逻辑电压驱动，更好适配无线充电主控。内置双MOS，使用两颗即可组成完整全桥。
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VS3640AE
威兆VS3640AE常用于输出VBUS开关，NMOS，使用5V逻辑电平驱动，耐压30V，导阻为13.5mΩ，使用PDFN3333封装。
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VS3640DS
威兆 VS3640DS 双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，耐压30V，使用SOP封装规格。两颗可组成H桥驱动线圈，用于控制两侧无线充电部分供电。
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VS3698AE
威兆VS3698AE常用于输出VBUS开关，NMOS，耐压30V，导阻3mΩ，采用PDFN3333封装规格，用于两路端口输出功率分配。
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VS4020AP
威兆半导体 VS4020AP MOS管，耐压40V，导阻4mΩ，采用PDFN5X6封装规格，漏极电流 ID在25摄氏度条件下的最大值是60A。
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VS4435AS
威兆VS4435AS采用SOP8封装规格，在在25摄氏度条件下，耐压值为30V，导阻为18mΩ，常用于PD输出开关控制。
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VS4604AP
威兆VS4604AP使用5V逻辑电平控制，耐压40V的NMOS管，导阻为2.7mΩ，采用PDFN5X6封装。
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VS4540AE
威兆VS4540AE常用于输入切换MOS管，耐压40V的PMOS，导阻为65mΩ，采用MOS管中常见的PDFN3333封装方式。
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VSA007N02KD
上图为威兆VSA007N02KD的两颗MOS管搭配使用，可以与DW01组成锂电保护，为产品提供更安全的运行环境。
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VSE003P02KS
威兆VSE003P02KS采用PDFN3333封装方式，耐压值为20V，导阻为5.8mΩ，PMOS，两颗搭配使用在输入接口处对向串联，可以用于防止电流倒灌。
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VSE007N04MS-G
威兆VSE007N04MS-G采用PDFN3333封装方式，耐压值为40V，导阻为3.2mΩ，当两颗威兆VSE007N04MS-G搭配使用时，可以为1A1C的接口输出进行同步整流降压。
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VSE007N04MS
威兆VSE007N04MS常用于同步升降压开关管，采用PDFN3333封装，耐压40V的NMOS。用于为USB-C1口输出同步整流降压。
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VS4604DM
威兆VS4604DM采用TO-263封装方式，导阻为1.6mΩ，耐压40V的NMOS，常用于充电输入保护。
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VSE009NE6MS-G
威兆半导体的 NMOS管型号为 VSE009NE6MS-G，可采用四颗VSE009NE6MS-G组成H桥完成无线充电，管子耐压为60V，导阻7mΩ，采用PDFN3333封装。
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VS3510AE
威兆VS3510AE用于输出同步整流降压，采用PDFN3333封装方式，导阻10mΩ，耐压30V的PMOS，使用5V逻辑电平控制。
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VS4620GEMC
威兆VS4620GEMC常用于VBUS开关管是一颗采用PDFN3333封装，耐压40V的NMOS，导阻为6.4mΩ。
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VS3620GPMC
威兆VS3620GPMC常用于同步降压开关管，采用PDFN5*6封装方式，耐压30V的NMOS，导阻为5.4mΩ。
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VSP003N06MS-G
威兆VSP003N06MS-G常用于输出同步整流管，是一颗采用PDFN5*6封装方式，耐压60V的NMOS，导阻为2.5mΩ，由PI主控芯片输出的控制信号驱动，进行同步整流。
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中压同步整流管
VSP009N10MS
威兆号VS009N10M是一颗常用于同步整流的MOS。采用PDFN5x6封装方式，使用5V逻辑电平控制，耐压110V的NMOS，导阻为6.5mΩ。
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VS5804AP
威兆VS5804AP常用于输出VBUS开关管，采用PDFN5*6封装，耐压55V的NMOS，导阻为2.7mΩ，在25摄氏度条件下漏感电流为105A。
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VS6018AS
威兆VS6018AS常用于次级同步整流管，采用SOP8封装，耐压60V/18A，n沟道 MOSFET，适用于各种常规大小充电器使用。
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VS6016HS
威兆VS6016HS常用于次级同步整流MOS，采用SOP8封装方式，耐压60V的NMOS，12mΩ导阻，可与适配的初级开关管搭配使用，组成开关电源。
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VS6018BS
威兆VS6018BS常用于次级同步整流MOS，采用SOP8封装方式，耐压65V的NMOS，导阻为6.7mΩ。
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VS6410AS
威兆VS6410AS常用于次级同步整流MOS管，采用SOP8封装，耐压为60V的NMOS，导阻为11mΩ，在案例中搭配吉林华微的初级主控MOS管组成开关电源部分。
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VS6412AE
威兆号VS6412AE常用于次级同步整流管，采用PDFN3333封装方式，耐压65V的NMOS，导阻为19mΩ，使用通用的5V逻辑电平。
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VS6608GE
威兆VS6608GE MOS管常用于同步升降压电压转换，采用PDFN3333封装方式，耐压65V的NMOS管，导阻为6mΩ。
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VSI008N10MS
威兆VSI008N10MS常用于次级同步整流。采用TO-251封装方式，耐压100V的MOS管，导阻6mΩ。
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VSE011N06MS
威兆VSE011N06MS采用PDFN3333封装方式，耐压60V的NMOS管，导阻为9mΩ，常用于无线充电线圈切换。
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VSI011N10MS-G
威兆VSI011N10MS-G常用于次级同步整流，采用TO-251封装方式，耐压100V的NMOS，导阻为9mΩ。
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VSO009N06MS-G
威兆VSO009N06MS-G常用于同步整流，采用SOP8封装方式，耐压60V的NMOS，导阻为8mΩ。
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VSP008N10MSC
威兆VSP008N10MSC采用PDFN5x6封装，耐压100V的NMOS，导阻6mΩ，支持逻辑电压控制，常用于次级同步整流。
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VSP012N12MS
威兆VSP012N12MS常用于次级同步整流，采用DFN5*6封装方式，导阻为12.8mΩ，耐压为120V的NMOS。
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VST012N12MS
威兆VST012N12MS采用TO-220AB封装方式，导阻为11.5mΩ，耐压为120V的NMOS，常用于次级同步整流的MOS管。
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VST013N10MS
威兆VST013N10MS采用TO-220AB封装工艺，导阻为11mΩ，耐压为100V的NMOS，常用于同步整流MOS来。
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VS4610AE
威兆VS4610AE常用于同步整流MOS来,采用PDFN3333封装方式，导阻为6.8mΩ，耐压为40V的NMOS，在案例中用于为USB-C口输出同步整流降压。
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VS6614GS
威兆VS6614GS常用于同步整流管，采用SOP8封装，导阻为10.5mΩ，耐压为60V的NMOS。
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VSP004N10MS-G
威兆VSP004N10MS-G常用于同步整流管，采用PDFN5x6封装，耐压为100V，拥有3.8mΩ超低导阻。
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VSP003N10HS-G
威兆VSP003N10HS-G采用PDFN5x6封装，拥有3.8mΩ超低导阻，耐压100V的NMOS，可以使用两颗VSP003N10HS-G并联进行同步整流。
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VSP003N08HS-G
威兆VSP003N08HS-G采用PDFN5060X封装，2.4mΩ超低导阻，耐压为80V的NMOS管，常用于同步整流管。
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VSP007N12MS-G
威兆VSP007N12MS-G是一颗耐压120V的NMOS，导阻为6.5mΩ，采用PDFN5060X封装，常用于同步整流管。
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VS3620GEMC
威兆VS3620GEMC同步开关管，耐压为30V的NMOS，导阻4.9mΩ，采用PDFN3333封装，可使用四颗VS3620GEMC可组成H桥用于同步升降压。
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VSO008N10MS
威兆VSO009N10MS常用于同步整流管，由PI电源芯片输出的同步整流驱动信号控制。后续此型号被VSO008N10MS取代，VSO008N10MS参数与VSO009N10MS参数接近，采用SOP8封装方式，耐压100V，导阻为6.4mΩ，使用5V逻辑电平控制。
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充电头网总结
近两年来，随着PD协议的更新，快充技术的再次绽放出新的光彩，从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议，从以前的10W到如今的200W以上，充电速度越来越快，充电功率也越来越大，同步整流管的要求也越来越严格，快充技术已经在消费类电源市场市场中得到快速普及，也会带动MOS管市场的发展。
威兆半导体在MOS领域深耕多年，旗下同步整流管家族矩阵十分庞大，多达64款型号的同步整流管，可轻松满足200瓦级别的快充应用，为快充厂商提供了集成度更高、更具性价比的选择。目前已经成功进入小米、华为、IQOO、努比亚、魅族、OPPO、倍思、机乐堂、飞利浦、图拉斯等诸多知名品牌供应链，产品性能获得市场长期验证。
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