美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流

顺应苹果手机全面支持USB PD 快充的风向，近日，美思迪赛半导体技术有限公司（MIX-DESIGN）推出了一款集成同步整流的USB PD3.0的高集成度控制芯片，经过测试发现该芯片除支持PD3.0外，还支持高通QC3.0、QC2.0、华为FCP、MTK PE+2.0、Apple 2.4A及BC1.2等充电协议。可以说已经能支持市面上绝大部分手机的快充功能。
美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网美思迪赛半导体透露，该多协议IC主要针对45W以下的AC-DC USB PD adapter应用进行了深度优化，MIX-DESiGN 美思迪赛 MX5420支持18W-45W不同输出电压电流的应用。我们此次测试拿到的方案是一款超简洁的18W PD3.0充电器DEMO，仔细了解该芯片后，发现MX5420控制器除了外围电路超简洁外，其它功能亮点颇多。
美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网
一、PD3.0+多协议控制器+同步整流
首先作为一款高集成度的芯片，MIX-DESiGN 美思迪赛 MX5420除支持USB PD3.0规范外，兼容QC3.0、华为FCP、BC1.2、Apple 2.4A等充电模式，并把次级同步整流控制器内置进去。

二、专有的智能反馈技术（Smart-Feedback）
该芯片搭载了美思迪赛半导体专有的Smart-Feedback技术，采用数字算法把传统初次级电压及电流RC环路补偿网络直接省去，同时因为Smart-Feedback加持，没有传统反馈环路系统不稳定的问题，工程师在采用MIX-DESiGN美思迪赛MX5420设计时不需要要考虑难调的环路增益和反馈裕度，因此得益于该公司Smart-Feedback的技术，除了电路能更加简洁，同时更大大节省工程师的开发时间和成本。而且在这样阻容器件大幅度涨价缺货的时候，估计搭载Smart-Feedback技术的方案将大受欢迎。

美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网 MX5420+MX6580 18W PD快充DEMO简洁的内部原理图

三、无需次级电流Sense电阻，实现每个细分电压段的精确恒流
MIX-DESiGN美思迪赛MX5420与该公司初级芯片MX65XX协同工作，初次级采用数字算法协调控制，在无需次级检测电阻的情况下，能让输出电压在每一个上升或下降Step实现精准恒压恒流。

四、外部可编程输出功率及个性化恒流恒压自由设置
同时MIX-DESiGN美思迪赛MX5420采用外部可编程输出功率的技术，每颗芯片输出功率从18W-45W及恒压恒流点客户在应用电路设计时随时可以编辑设定。
美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网经过ChargerLAB POWER-Z KT001实测，该方案支持USB PD3.0协议，并具备5V、7V、9V、12V四档电压输出，最大输出功率为18W。
除此之外，该方还支持Apple 2.4A、USB DCP、QC2.0、QC3.0、FCP等充电协议。

该套方案初级PWM控制器搭配的是MIX-DESiGN美思迪赛MX6580，初级的外围器件也极其简单，我们看到MX6580同样是一颗超高集成度的产品。
美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网 MIX-DESiGN美思迪赛MX6580具有以下主要功能：
（1）支持QC3.0快充，电压调节范围3.6V~12V；200mV一个Step
（2）支持USB PD快充；
（3）内置MTK PE1.1/2.0快协议，无需次级的协议IC也可独立工作；
（4）多模PWM和PFM工作，防止进入音频模式并提高效率；
（5）搭配MIX-DESiGN美思迪赛次级MX54XX，执行专有的Smart-Feedback技术，消除V/I环路补偿网络；
（6）采用可编程电缆补偿技术；
（7）内置700V耐压功率MOSFET，无需外设初级开关管，节省PCB空间，降低成本，利于开发小体积产品。
美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网让人惊奇的是美思迪赛半导体推出的这颗初级控制IC MX6580将原本需要外置的初级高压MOSFET连同控制芯片一起封装到了一个小小的SOP-7的封装里面，如能达到满18W的输出功率，这将是目前业界18W快充功率密度最高的一颗初级整高压整合芯片。
据该公司FAE介绍，该DEMO在40℃环境温度下，主要器件的温度均满足要求安规要求。为了将MX6580内置的这颗高新能MOSFET和控制芯片内置到一个SOP-7的小封装里面，该公司器件工程师对其做了深度优化，采用超结技术将开关速度提升和RON降低的情况下，同时又做到了与传统平面MOSFET相类似的EMI性能。

美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网同时MX6580 VCC耐压达到60V，因此在输出宽范围的情况下，无需外部串联稳压电路。

以下为MIX-DESiGN美思迪赛MX6580初级IC搭配MIX-DESiGN美思迪赛MX5420次级IC组成的多协议快充方案DEMO板：
美思迪赛半导体推出超高集成度USB PD3.0接口控制芯片，兼容多种快充协议及同步整流-充电头网此次我们看到美思迪赛半导体技术有限公司推出的这套符合USB-PD3.0的多协议控制芯片，有非常多的技术亮点，相信未来必定会有比较好的市场反馈。
美思迪赛半导体在传统AC-DC电源市场耕耘了多年，也是业内为数不多的有能力在电源初、次级IC同时做设计优化的半导体公司，该公司以往在传统AC-DC非快充市场已取得不错占率和口碑，目前美思迪赛半导体在台北，上海，苏州均设有研发部门，近年来在数模混合设计积累了丰富经验，这次推出的方案可以说是公司厚积薄发的表现，美思迪赛的销售人员透露，这次推出的产品只是刚开始，未来几个月他们将陆续推出符合PD3.0，QC4+，PPS及第三方高低压直充的快充控制芯片，产品将涉及AC-DC及DC-DC等领域。