前言
传统的氮化镓快充方案包括控制器+驱动器+GaN功率器件等，电路设计复杂，成本较高。而若采用合封氮化镓芯片，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，减小振铃，从而降低开关损耗，还不易受初级电流干扰，提高可靠性和开关速度。电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试，加速产品研发周期。
合封氮化镓还有成本低，元件数量少，易于调试的优势，简化氮化镓充电器的设计，降低氮化镓快充的开发难度，助力实现小体积高效率的氮化镓快充设计。在提高空间利用率的同时降低了生产难度，也有助于降低成本，加快出货。
东科合封氮化镓全链路解决方案
东科半导体根据拓扑架构的不同推出了多款合封氮化镓，这些产品在设计上充分考虑了实际应用环境和性能要求，以满足不同行业和领域的需求。
多种拓扑架构包括ACF架构、AHB架构与QR架构，其中ACF拓扑通过有源钳位的方式实现功率管软开关，既减小开关损耗，提高转换效率，又支持更高开关频率，可充分发挥新型功率管氮化镓GaN的优势，且利于磁元件小型化。 QR拓扑则是传统适配器中采用的一种准谐振反激拓扑，具有结构简单、控制容易等优点。 AHB则是一种高性能非对称半桥反激式控制器，可满足大功率笔记本的需求。
充电头网将会对以上不同架构的多款芯片作出相应讲解。
ACF
DK8607AD
DK8607AD 是一款集成了两颗 GaN 功率器件的有源钳位反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK8607AD 利用漏感能量，可以实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率，降低功率管的应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8607AD支持最高1MHz开关频率，效率高达95%，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，可适应宽电压，推荐功率为70W，可为系统提供更高的性能和可靠性。
DK8607AD 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8607AD 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过、欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP），输出短路保护等。
DK8607AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等领域之中。
与一元硬币实观对比。
DK8612AD
DK8612AD是一款集成了两颗 GaN 功率器件的有源钳位反激控制 AC-DC 功率开关芯片。
DK8612AD 利用漏感能量，可以实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率，降低功率管的应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8612AD支持最高1MHz开关频率，效率高达95%，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，带有升压PFC，推荐功率为120W，可为系统提供更高的性能和可靠性。
DK8612AD 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8612AD 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过、欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP），输出短路保护等。
DK8612AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等领域之中。
与一元硬币实观对比。
AHB
DK8710AD
DK8710AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8710AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8710AD的内阻为365-480mΩ，推荐应用功率为100W。
DK8710AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8712AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。
DK8712AD
相较于DK8710AD，DK8712AD主要是内阻进一步减少，为270-350mΩ，推荐应用功率为120W。
DK8712AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8712AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8712AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8712AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。
DK8715AD
DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片，其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS，副边整流管ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，从而减小开关损耗并改善电磁干扰。
DK8715AD支持最高800KHz开关频率，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，可为系统提供更高的性能和可靠性。
DK8715AD外围精简，可极大简化AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8715AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC 过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等。
DK8715AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、电视电源、两轮电动车充电器、通信电源、LED电源等领域之中。
与一元硬币实观对比。
DK8718AD
相较于DK8715AD，DK8718AD主要是内阻进一步减少，为115-150mΩ，推荐应用功率为180W。
DK8718AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8718AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8718AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8718AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。
QR
DK012G
东科DK012G是一款集成了 650V/2.2Ω GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK012G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK012G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK012G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK012G氮化镓合封芯片支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
DK020G
东科DK020G是一款集成了 650V/1.2Ω GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK020G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK020G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK020G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK020G氮化镓合封芯片支持250KHz开关频率，峰值效率高达92%，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
DK025G
东科DK025G是一款集成了 650V/800mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK025G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK025G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK020G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK020G氮化镓合封芯片支持250KHz开关频率，峰值效率高达92.7%，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
DK035G
东科DK035G是一款集成了 650V/600mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK035G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK035G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK035G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK035G氮化镓合封芯片效率最高可达93%，最高支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
DK045G
东科DK045G是一款高度集成的氮化镓合封芯片。内置650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持45W及以下功率应用。DK045G检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK045G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密 度的产品。DK045G具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC过欠压保护，过温保护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK045G采用PDFN5*6封装模式，可广泛应用于高功率密度PD快充、笔记本平板电脑适配器以及辅助和待机电源。
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DK045GCD
东科DK045GCD是一款高度集成的氮化镓合封芯片。内置650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持45W及以下功率应用。DK045GCD检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK045GCD极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK045GCD具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC过欠压保护，过温保护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK045GCD通过IEC 62368-1:2018安全认证，编号为NO123514，采用DFN8*8封装模式，可广泛应用于高功率密度PD快充、笔记本平板电脑适配器以及辅助和待机电源。
DK065G
DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片，其中集成了控制和驱动电路。
DK065G采用了专利的谷底锁定QR算法，在降低开通损耗，提高系统效率的同时，稳定的锁谷底算法避免了音频噪声的引入，大大简化了高功率密度反激电源的设计。DK065G具备完善的保护功能，支持输出过压保护，供电过压、欠压保护，过热保护等保护功能。
东科DK065G通过IEC 62368-1:2018安全认证，编号为NO123514，采用DFN8*8封装，外围元件精简，适用于高功率密度快充适配器，笔记本电源适配器等应用。
与一元硬币比较。
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2、单芯片实现65W，东科合封氮化镓芯片DK065G规模化商用
DK075G
东科半导体的合封氮化镓系列产品DK075G内部集成了650V/160mΩ氮化镓功率管，并集成了控制和驱动电路芯片。DK075G采用了专利的谷底锁定QR算法，在降低开通损耗，提高系统效率的同时，稳定的锁谷底算法避免了音频噪声的引入，大大简化了高功率密度反激电源的设计。
DK075G峰值效率高达94.3%，最高支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置算法优化的谷底检测电路和谷底锁定电路以及退磁检测电路和抖频电路，可有效改善EMI，同时内置的高低压输入功率补偿电路可保证高低压下最大输出功率一致。DK075G具备无卤素特性，符合ROHs要求。
DK075G具备完善的保护功能，支持输出过压保护，供电过压、欠压保护，过热保护等保护功能。
东科DK075G采用DFN8*8封装，外围元件精简，适用于高功率密度快充适配器，笔记本电源适配器等应用。
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充电头网总结
合封氮化镓芯片的优势在于其将控制器、驱动器和功率管集成在一个芯片内部，这样可以降低寄生参数在高频下带来的干扰，减少元件数量，从而简化电路设计，提高电路的稳定性和可靠性。此外，合封氮化镓芯片的体积更小、功率密度更高，这使得它在电源设计中具有更高的空间利用率。
东科半导体推出的多种合封氮化镓解决方案都可提高电源系统效率，减小开关损耗并改善电磁干扰，目前已有多款知名品牌充电器都采用了东科的合封氮化镓电源方案，侧面证明了东科合封氮化镓芯片系列产品的质量，能够满足充电器厂商多种氮化镓快充设计，助力厂商的氮化镓产品加速上市，快速抓住市场机遇。
东科半导体采用合封式控制器+驱动器+GaN HEMT方案，减小快充方案在高频下的寄生参数，从而降低了快充电源的调试难度，并达到了精简外围元器件、提高功率密度的目的，加快产品设计周期同时降低产品的成本，加速氮化镓充电器的普及，让充电器变得更加高效，推动绿色可持续发展战略和早日实现碳中和的深远意义，为地球节能减排贡献一份力量。
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