前言
第三代半导体材料氮化镓GaN具备频率高,导阻低,低输入输出电荷等显著优势,在快充领域上逐渐取代了传统高压硅MOS管。采用氮化镓MOS管可以有效降低损耗,提升整机效率,降低发热,此外还能进一步降低变压器体积,进而制造出超小型氮化镓快充。
为了迎接iPhone15手机的推出,MOCOLL摩可推出了一款小巧的30W氮化镓充电器,这款充电器采用小巧的方块设计,白色与灰色搭配,配有固定式国标插脚,体积超小。充电器具备20V输出档位,还支持PPS快充。这款充电器不仅能够满足苹果手机的快充需求,对主流的安卓手机也有很好的快充兼容性。
充电头网在拆解这款体积十分小巧的氮化镓充电器时,发现能华CE65E300DNYI氮化镓器件。
摩可30W迷你氮化镓充电器
摩可这款迷你氮化镓充电器采用小立方体造型设计,配备单USB-C接口,边角过渡圆润。外壳为上下结构并且分别采用白色和灰色配色,白色外壳高光亮面处理。腰身一面印有30W标识。充电器配备固定式国标插脚。
和苹果30W充电器对比,体积优势很明显,大小仅有其一半左右,类似苹果5W充电头体积。使用ChargerLAB POWER-Z KM003C测得USB-C口支持FCP、AFC、QC3+/4+、PD3.0、PPS、DCP、Apple 2.4A充电协议。
能华氮化镓器件CE65E300DNYI
氮化镓功率芯片采用能华CE65E300DNYI,是一颗DFN5*6封装的增强型氮化镓器件,耐压650V,瞬态耐压750V,导阻为300mΩ。相比传统Si MOSFET器件,这颗GaN器件能大大提升系统效率、功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。相比市场上其他E mode GaN产品,其Vth要高60%,保证了在各种应用场景的驱动可靠性,无需负压关断,PCB Layout也变得更容易。
值得注意的一点是,相对目前市场上的E mode器件的Vth=1.5V,能华采用外延及芯片工艺的自主创新,将Vth提高到2.5V的同时保持2DEG的电阻一致,器件在Vgs=6V导通时电阻也维持不变,这意味着器件的成本(Ron*Die size)和器件饱和电流(Isat)维持在同等水平。
充电头网总结
江苏能华微电子科技发展有限公司是一家专业设计、生产和销售以氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。能华半导体是全球少数同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术和耗尽型GaN直驱方案的半导体公司。目前产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。
充电头网了解到,摩可这款氮化镓充电器内部采用能华CE65E300DNYI氮化镓功率芯片,这款芯片相较于传统硅MOS器件,能大幅提升系统效率,提升整机功率密度。并且由于能华独有的外延工艺,相较于市面上其他E mode GaN产品,其Vth要高60%,可靠性更强,同时无需负压关断,有效简化PCB设计流程,降低印刷PCB难度,有效降低产品成本。
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