前言

近年来，氮化镓产业发展迅速，产业链日趋完善。随着下游新应用规模爆发，以及氮化镓衬底制备技术不断取得突破，氮化镓也不再局限于快充等消费电子市场，可广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域。

而作为氮化镓快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家关注的焦点。充电头网了解到英飞凌近期推出CoolGaN Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。

CoolGaN Drive产品系列

CoolGaN Drive产品系列包括CoolGaN Drive 650 V G5 单开关和CoolGaN Drive HB 650 V G5器件。

CoolGaN Drive 650 V G5

其中CoolGaN Drive 650 V G5 单开关集成了一个晶体管和栅极驱动器，可有效提升系统的开关速度和效率，得益于氮化镓的高开关频率，该器件能在更高频率下工作，提高电源效率，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装。

而CoolGaN Drive HB 650 V G5器件集成了两个晶体管及高边和低边栅极驱动器，适用于电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等应用，采用LGA 6x8 封装。

目前，CoolGaN Drive产品系列包括多款集成驱动器的单开关和半桥器件，均基于最新发布的CoolGaN 650 V G5晶体管。根据不同的产品配置，该系列器件具备自举二极管、无损耗电流测量、可调接通/关断dV/dt等功能，并提供OCP、OTP、SCP等全面的保护机制。这些半导体器件凭借更高的开关频率，能够实现更小、更高效的高功率密度系统解决方案，同时减少了物料清单（BoM），降低了系统重量，进而减少了碳足迹。

英飞凌CoolGaN Drive产品系列新产品系列实现了更高的效率、更小的系统尺寸和更低的总成本，适用于续航时间较长的电动自行车、便携式电动工具，以及吸尘器、风扇和吹风机等重量较轻的家用电器。

充电头网总结

随着氮化镓技术的不断成熟和应用范围的扩大，CoolGaN Drive产品系列的推出标志着英飞凌在GaN高效能量转换领域迈出了重要一步。CoolGaN Drive产品系列将功率晶体管与栅极驱动器集成在一起，有效减少了外部元件的需求，同时具有无损耗电流测量等多种功能和保护机制，能够实现更小、更高效的高功率密度系统解决方案。

同时英飞凌科技高级副总裁兼GaN系统业务线负责人Johannes Schoiswohl也表示：“多年来，英飞凌一直专注于加快GaN领域的创新，为现实的功率难题提供有针对性的解决方案。全新CoolGaN Drive产品系列再次证明了我们如何通过GaN帮助客户开发具有高功率密度和高效率的紧凑型设计。”