2021全球第三代半导体快充产业峰会将于7月30日在深圳南山区科兴科学园举办，英诺赛科高级应用工程师 杜发达先生将出席本次峰会并发表演讲，演讲主题为：《InnoGaN 引领低碳芯时代》。

杜发达，华南理工大学电力电子与电力传动专业硕士学位，对功率拓扑、磁性器件、控制环路等关键技术具备丰富的理论基础和实践经验。现任英诺赛科产品应用部应用高级工程师一职，主要负责氮化镓器件的应用评估与大功率解决方案的开发工作。

关于英诺赛科

英诺赛科，全球领先的硅基氮化镓IDM企业，致力于8英寸GaN电力电子器件的研发与生产。产品主要包括高压GaN FETs，低压（200V及以下）GaN FETs，及GaN IC，分别应用于5G基站、工业互联网、数据中心、自动驾驶、5G通讯、快充等领域。以先进的工艺和领先的器件性能，实现终端应用高频高效、小体积化，为绿色环保做出贡献。