长晶科技在PD应用市场推出一系列功率MOSFET,采用 SGT工艺技术,其具有较低的RDS(on),同时具备优秀的动态特性参数,以及快速开关切换能力,过流能力出色。
其中PD快充市场是以漏源级击穿电压100V产品为主,长晶型号 CJAC65SN10L、CJAC75SN10L、CJAC80SN10、CJAC110SN10L等产品广泛应用于 PD快充充电器同步整流位置,同时配套了输出开关MOSFET CJAB35N03、CJAB55N03、CJAB55N03S、CJAB60N03等产品以及初级高压平面工艺MOSFET CJPF04N65、CJPF07N65、CJPF10N65、CJPF12N65等型号,在各大终端厂商18W 、27W 、33W、55W、65W、120W等项目中均有批量成功案列。
图为长晶科技CJAB55N03在小米67W快充中的应用。
长晶PD市场应用——初级高压MOS适配:
长晶PD市场应用——同步整流MOS适配:
长晶PD市场应用——输出开关MOS适配:
长晶PD市场MOS常用产品封装:
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长晶科技参加了10月22日充电头网主办的2021无线充电亚洲展,展位号C09,欢迎莅临展位洽谈。
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