近期,碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案领先供应商瞻芯电子与Cambridge GaN Devices(CGD)合作,基于成熟的2.5kW CCM模式图腾柱无桥PFC参考设计,仅简单改动:把原功率器件换成集成驱动和GaN器件的ICeGaN®产品,其测试表现稳定,效率高达98.7%。该方案的成功,不仅再次验证了基于模拟控制芯片(IVCC110x)的图腾柱PFC电路的简单、高效,而且表明ICeGaN®产品良好的易用性和卓越可靠性。
Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆氮化镓(GaN)功率器件生产商,致力于开发节能高效GaN功率管和IC。该公司专利产品ICeGaN®通过高度的集成化,极大地简化设计流程,加速产品落地。
图1:方案实测效率曲线图
CGD技术市场与业务拓展总监 Di Chen 表示:
“瞻芯电子现有的2.5kW图腾柱PFC参考设计方案是基于TO-247封装, 通过一块半桥适配子板,替换为ICeGaN® P2系列的25mΩ GaN IC,在不修改驱动、控制策略、电路拓扑的情况下,即可正常运行。测试结果证明了ICeGaN® 能大幅缩短工程师学习和新品开发周期,加速GaN在大功率电源设计的导入和产品落地。同时,也对瞻芯电子的CCM PFC控制器芯片IVCC1104的高性能和极致性价比,印象非常深刻。”
瞻芯电子首席技术官叶忠博士评价:
“ICeGaN®器件在2.5kW图腾柱PFC中首次上电就能工作,开关波形干净,尽管其DFN封装需通过TO247-4适配板焊接至主功率版,且栅极驱动和驱动电源走线较长,但从空载到满载均未发现异常或直通现象,展现出极强的抗噪性、易用性与高效能。这个项目的demo成功,再一次展现出瞻芯电子CCM TTP PFC控制芯片在适配宽禁带半导体器件,包括SiC MOSFET和GaN FET,以实现下一代高性能电源方案的便捷性和高效性。”
基于IVCC1104和ICeGaN的2.5kW PFC方案
这款方案选用简单、高效的图腾柱PFC拓扑,采用模拟PFC控制芯片,搭配SiC或GaN功率器件作为高频开关管,都能大幅简化器件选型,降低物料成本,加快电源产品的开发速度,因此已开发出多种衍生PFC电源方案,功率范围覆盖330W~3000W,并展示出优秀的性能、效率表现。
图2:2.5kW图腾柱PFC方案样机
图3:图腾柱无桥PFC工作原理
主控芯片:采用模拟图腾柱PFC控制芯片IVCC1104,内置高速、精确、可靠的模拟控制器,相比于数字控制芯片,封装更紧凑(16pin),无需编程调试,还能解决一系列控制难点,保障开关电源方案的高效率、高可靠性,助力产品快速开发与推广。
图4:2.5kW图腾柱PFC主控制板
高频开关管:选用ICeGaN® IC(CGD65C025SP2)将栅极接口电路、保护功能与主功率管单片(650V/25mΩ GaN HEMT)集成,可直接和瞻芯电子IVCR1401驱动或市售通用Si/SiC驱动芯片兼容,只需进行简单的改动就可以无缝替换传统的Si器件,实现效能提升。
图4:ICeGaN® IC产品
测试环境介绍
在瞻芯电子的2.5kW图腾柱PFC方案中,把原650V SiC MOSFET换装ICeGaN® IC产品CGD65C025SP2,并沿用栅极驱动IVCR1401芯片。
图5:ICeGaN® IC产品在原方案应用
空载启动波形:
点评:空载启机的电流无异常大电流,波形比较平滑。
负载1250W,Vin_AC=115V空载上电测试波形:
负载2500W,Vin_AC=230V空载上电测试波形:
点评:与使用瞻芯SiC MOSFET一样,AC电流过零点的波形都非常平滑,无尖峰和明显的台阶,IVCC110x的专利过零点技术在此体现的很好。
图6:PFC方案功率因数
图7:PFC方案THD谐波数据
该方案验证成功,再次表明IVCC1104芯片不论搭配碳化硅(SiC)器件或氮化镓(GaN)器件,都能极大的缩短工程师开发产品的周期,降低应用门槛,带来更大的项目收益。
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关于Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices(CGD)专注氮化镓晶体管与集成电路的设计、开发及商业化,以颠覆性技术推动能效提升与器件小型化。我们致力于通过易于部署的高效氮化镓解决方案,将创新融入日常生活。CGD的ICeGaN®技术已通过量产验证,公司正依托成熟的制造与客户合作网络加速规模化扩张。作为孵化自英国剑桥大学的一家无晶圆厂企业,创始人兼CEO Giorgia Longobardi博士与CTO Florin Udrea教授始终与该校享誉全球的高压微电子与传感器研究组(HVMS)保持紧密联系和合作。凭借对创新的持续投入,CGD构建了强大且不断扩展的专利组合,为ICeGaN技术提供全方位保护。团队深厚的电力电子技术积淀与商业洞察力,已成为其专有技术获得市场广泛认可的核心驱动力。
关于瞻芯电子
上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,并围绕碳化硅(SiC)应用,为客户提供一站式解决方案。
瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司,拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂,标志着瞻芯电子进入中国领先碳化硅(SiC)功率半导体IDM公司行列。
瞻芯电子将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。