前言

低压GaN器件相较于硅MOS具备禁带宽度更大、电子迁移率更高、开关速度更快等诸多优势，可有效降低开关损耗，因而在高频应用中表现出色。因此，在电源系统中采用GaN器件能够提高系统效率与功率密度，同时还能减小系统体积、降低整机重量。凭借这些优势，低压GaN器件目前在消费电子充电系统、AI数据中心IBC 、新能源和工业DC/DC电源，BLCD电机驱动等诸多场景中，都得到了广泛的应用。

而英诺赛科早于2022年，开创性地推出了中低压双向氮化镓VGaN产品。该产品仅凭单颗器件便可实现以往两颗MOS才能完成的功能，大幅降低了占板空间以及寄生参数，并且有效削减了系统成本。首批推出的40V VGaN 产品INN040W048A已经成功导入多家知名手机品牌的主板设计，从而得以实现高功率快充。

近期，英诺赛科VGaN家族不断拓展壮大，其产品已经覆盖了30-120V平台，现共拥有9款产品，覆盖手机不同功率的快充需求，并扩展到电池化成电源电池侧防反，电池包BMS系统等多场景应用需求。

英诺赛科VGaN家族

目前英诺赛科9款VGaN产品核心参数如上表所示，详细规格书以及描述请见下文。

英诺赛科INV030FQ012A

英诺赛科INV030FQ012A是一颗耐压30V的双向硅基增强型氮化镓器件，采用FCQFN 6×6mm封装。该器件具备双向导通能力以及1.2mΩ超低导阻，适合在高压侧负载开关、OVP保护、供电系统开关电源等多场景应用。

英诺赛科INN040FQ012A

英诺赛科INN040FQ012A耐压40V，导阻1.2mΩ，采用FCQFN 6×4mm封装，同样为双向硅基增强型氮化镓器件，具备双向导通能力，导阻更低。适合高压侧负载开关、USB接口的OVP保护、供电系统开关电源等多场景应用。

英诺赛科INN040W048A

英诺赛科INN040W048A是一颗采用WLCSP 2.1×2.1封装的双向增强型硅基氮化镓，耐压40V，导阻4.8mΩ，具备双向导通能力，导阻超低。适合在高压侧负载开关、智能手机USB接口OVP保护、供电系统的开关电源等场景应用。此外，INN040W048A也是业界首款导入手机内部设计的GaN，仅用1颗VGaN就能代替两颗硅MOS，有效提升手机快充效率，降低PCB板占板空间。

英诺赛科INN040W080A

英诺赛科INN040W080A同样是一颗双向硅基增强型氮化镓器件，采用WLCSP 1.7×1.7mm封装，耐压40V，导阻8mΩ。该器件具备双向导通能力，导阻超低。适合高压侧负载开关、智能手机USB接口OVP保护、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INN040W120A

英诺赛科INN040FQ012A耐压40V，导阻12mΩ，采用WLCSP 1.2×1.7 mm封装，同样为双向硅基增强型氮化镓器件，具备双向导通能力，导阻更低。适合高压侧负载开关、智能手机USB接口的OVP保护、供电系统开关电源等多场景应用。

英诺赛科INV100EQ030C

英诺赛科INV100EQ030C是一颗双向硅基增强型氮化镓器件，采用En-FCQFN 4×6mm封装，双面散热，耐压100V，导阻3.2mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INV100FQ030A

英诺赛科INV100EQ030C是一颗采用FCQFN 4×6mm封装的双向硅基增强型氮化镓器件，耐压100V，导阻3.2mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INV100FQ030C

英诺赛科INV100FQ030C同样是一颗采用FCQFN 4×6mm封装的双向硅基增强型氮化镓器件，耐压100V，导阻3.2mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

英诺赛科INV120EQ035A

英诺赛科INV100EQ030C是一颗双向硅基增强型氮化镓器件，采用En-FCQFN 4×6mm封装，耐压120V，导阻3.5mΩ。该器件具备双向导通以及超低导阻特性。适合BMS电池保护系统、双向转换器中的高侧负载开关、供电系统的开关电源等场景应用。

充电头网总结

英诺赛科凭借前瞻性视野率先布局低压GaN器件领域。自2022年推出开创性的VGaN产品以来，其产品家族不断丰富，如今已涵盖30~120V低压平台，每一款都能够各自适用场景中大放异彩，从手机快充到户外电源BMS系统等，皆有适合VGaN应用的产品类型。

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。