前言

现阶段，随着氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料的快速落地，以及MOSFET、IGBT等传统器件在工艺和封装上的持续优化，器件性能不断想效率更高、功率密度更大、可靠性更强方向突破。在消费电子、电动汽车、新能源、数据中心及工业控制等多应用领域，这些技术创新正在重塑电源系统设计格局。面对市场需求瞬息万变，各大厂商纷纷推出新产品以抢占技术制高点。

本文按品牌英文首字母整理多家企业的最新新品，为工程师和行业观察者提供一份全面、即时的参考。

AOS万国半导体

万国半导体针对Type-C EPR 3.1 240W推出保护开关

AOS万国近日推出两款高性能Type-C保护开关——AOZ13058DI与AOZ15953DI，旨在将Type-C端口供电能力提升至240W，支持Type-C扩展功率范围（EPR）3.1应用。

其中，AOZ13058DI面向48V Type-C灌电流（sink）应用，提供过压、过流、短路、过热及ESD保护，并集成可编程软启动与理想二极管反向电流阻断功能，可隔离下游组件、防止电流损害。其20mΩ超低导通电阻和双向瞬态电压抑制增强了电源稳定性，满足IEC61000-4-2/4-5安全标准。可编程电流限制功能还可用于EPR 3.1扩展坞系统。

AOZ15953DI面向Type-C拉电流（source）应用，支持5V输出3.5A电流，并能承受最高48V电压。该开关通过UL 2367及IEC 62368-1认证，具备输入过压、启动短路、过温保护，并可通过ILIMIT引脚设定电流限制。

这两款保护开关有效防止短路风险，助力高性能笔记本、游戏本、台式机、显示器、扩展坞及其他高功率便携设备实现高效、安全、可靠的Type-C供电。

Infineon英飞凌

英飞凌扩展 CoolSiC 650 V G2 MOSFET 产品阵容，新增 75 mΩ 型号

英飞凌近日宣布，旗 CoolSiC 650 V G2 MOSFET系列新增75 mΩ型号，以满足市场对高功率密度与紧凑设计的需求。新产品覆盖TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 和 TO247-4 多种封装形式，支持顶部冷却和底部冷却（两种散热方式，赋予设计人员更大灵活性。

该系列器件广泛适用于中高功率 SMPS，覆盖AI服务器、可再生能源、电动汽车与充电桩、人形机器人充电、电视及驱动系统等领域。

基于第二代CoolSiC技术，新品在品质因数、可靠性和易用性方面较前代大幅提升。其中，TOLL与ThinTOLL 8x8 封装助力实现紧凑设计并降低制造成本；TOLT封装则进一步丰富英飞凌的TSC产品组合，目前已涵盖 CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN 和 Optimos。TSC方案最高可实现95%散热效率，并优化空间利用率与寄生效应。

Innoscience英诺赛科

英诺赛科发布两款低压电机驱动GaN方案

英诺赛科发布两款低压电机驱动方案：INNDMD48V25A1分立方案与INNDMD48V22A1集成方案。两者均支持48V~60V输入、峰值相电流 25A/22A，完美适配1kW级电机应用，广泛面向机器人、无人机、电动工具等场景。分立方案采用6颗INN100EA035A 分立器件与 3 颗 INS2003FQ驱动IC，兼具灵活性；集成方案则基于3颗 ISG3204LA 半桥合封GaN，集成度高、布局更简洁。

凭借高效率、低温升、高频率、小体积四大优势，两款方案全面超越传统Si器件：损耗可降低至24%–39%，温度下降23℃以上，高频性能优异并提升功率密度，部分场景甚至可免散热器。英诺赛科此次新品发布，为下一代电机系统提供强劲“动力内核”，无论是追求极致性能的分立设计，还是注重快速开发的集成方案，都能帮助客户实现高性能与差异化竞争。

Nexperia安世半导体

Nexperia推出新款高功率应用MOSFET (ASFET)产品

安世半导体近日宣布，为其应用专用MOSFET (ASFET) 产品组合再添新成员。新款80 V PSMN1R9-80SSJ和100 V PSMN2R3-100SSJ开关器件具备增强的动态均流功能，专为需要并联多个MOSFET的高功率48 V应用设计，如叉车、电动滑板车、代步设备及工业电机驱动系统。

在高电流并联应用中，MOSFET导通与关断阶段电流分配不均易导致局部过热及器件应力过大。为规避传统过度设计或采购筛选器件的成本与复杂性，新款ASFET可在单器件电流达50 A时，将并联器件间电流差值降低50%，VGS(th)参数差异缩小50%，最大差值仅0.6 V。同时，其低导通电阻（1.9 mΩ或2.3 mΩ）有助于提升系统能效。

新款ASFET采用8 mm×8 mm LFPAK88封装，兼顾耐用性与空间效率，工作温度范围为-55℃至+175℃，为高功率电源和电机驱动应用提供可靠支持。

PNJ派恩杰

派恩杰推出Easy 3B 2000V高压碳化硅模块

派恩杰Easy 3B碳化硅模块基于第三代半导体技术，具备高击穿场强、高热导率和高电子饱和速度，在高压性能、功率密度、散热效率及系统兼容性上表现均衡。2000V 设计特别适合大规模光伏电站、储能系统以及工业 UPS 与快充桩等高压、高效率、高可靠性应用，有效降低电压降与能耗，提升发电与储能效率。核心优势包括超高耐压（VDSS>2000V）、含铜基板和 AMB 陶瓷基板高效散热，以及对多种拓扑结构（半桥、全桥、三相桥、三电平及 Boost）的兼容性。

在光伏逆变器和储能系统中，Easy 3B 模块可提升直流-交流转换效率、降低线缆与开关损耗，实现高效双向充放电，延长电池寿命并确保系统稳定。典型落地案例包括 1500V DC 大型光伏电站，通过两电平拓扑与双面散热设计，替代传统三电平方案，实现效率提升、成本下降，同时适应高温高风沙环境；以及 200MWh 构网型储能电站，通过模块快速切换响应和热管理创新，提高调频速度和系统能效。

在工业 UPS 与快充桩应用中，Easy 3B 模块帮助 UPS 系统实现零中断供电，并适应高密度服务器瞬时负载波动；在快充桩中通过 LLC 谐振拓扑，实现高效率输出和户外环境适应能力。整体来看，派恩杰 2000V 碳化硅模块平衡性能与成本，为中高压电力电子系统提供高效、可靠的解决方案，尤其适用于新能源和能源转型相关领域。更多型号参数及 Datasheet 可通过官方网站获取，以满足具体应用需求。

ROHM罗姆

罗姆推出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管

罗姆宣布推出创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”。该产品在低正向电压（VF）与低反向电流（IR）之间实现高维度平衡，为ADAS摄像头等高像素图像传感器应用提供可靠的保护解决方案。随着摄像头精度和像素的提升，图像传感器在电源关断时可能产生高光生电压，传统器件难以兼顾低VF与低IR的保护要求。ROHM通过重新设计器件结构，成功开发出兼具两者特性的产品，解决了长期困扰行业的技术难题。

“RBE01VYM6AFH”创新性地将肖特基势垒二极管通常用于整流的低VF特性应用于保护用途，同时保持低IR性能。在极端环境下（VF：Ta=－40℃，IR：Ta=125℃），仍可实现VF＜300mV（IF=7.5mA）与IR＜20μA（VR=3V），有效防止高光生电压对电路的损坏，并降低热失控与误动作风险，为高可靠性电子设计提供保障。

新产品采用小型扁平引脚SOD-323HE（2.5mm × 1.4mm）封装，兼顾节省空间与安装便利性，可广泛应用于车载摄像头、工业设备和安防系统等狭小空间场景。同时，“RBE01VYM6AFH”符合车规AEC-Q101标准，适合下一代高可靠性电子设备的长期稳定运行需求。

ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”

罗姆近期推出二合一SiC模块“DOT-247”，专为光伏逆变器、UPS及半导体继电器等工业应用设计。该模块延续了广泛使用的TO-247封装通用性，同时提供更高设计灵活性和功率密度，满足多电平功率转换电路的需求。

随着光伏逆变器向高电压、多电平方向发展，三电平NPC、三电平T-NPC及五电平ANPC等电路日益普及。传统SiC模块在多电平混合拓扑（半桥+共源）中往往需要定制产品，而DOT-247通过整合半桥与共源两种拓扑为二合一模块，实现了更小电路尺寸和更高适配灵活性，可轻松应对下一代功率转换设计。

DOT-247由两个TO-247封装相连构成，可容纳更大芯片并优化内部结构，实现更低导通电阻。封装热阻降低约15%，电感减少约50%，在半桥结构中功率密度提升至2.3倍，同时体积仅为传统方案的一半。产品覆盖750V（SCZ40xxDTx）与1200V（SCZ40xxKTx）两种耐压，共8款型号，可广泛应用于NPC电路、DC-DC转换器等多种配置，帮助系统小型化并减少元器件数量。

SK时科电子

时科推出60V耐压功率MOS KG100N06AD

时科推出的SKG100N06AD N沟道增强型MOSFET，以 60V耐压、100A承载能力、超低导通电阻和PDFN5x6-8L紧凑封装，成为新一代高效能电源与功率电路的理想选择。

该器件采用先进沟槽工艺，RDS(on)典型值仅2.0mΩ，在低栅压驱动下依然保持极低损耗，实现高能效输出；支持高达100A电流承载，确保在大功率应用中稳定可靠；小型封装便于高密度布局，助力设备轻薄化；同时具备优良的雪崩耐量和热特性，兼容逻辑电平驱动，并符合RoHS环保标准。

凭借更优性能与小型封装，SKG100N06AD广泛适用于电源管理系统、PWM控制与电机驱动、便携式电子、储能与电池管理，以及物联网和通信设备。

TOSHIBA东芝

东芝推出新一代NMOS

东芝今日宣布推出最新100V N沟道功率MOSFET——TPH2R70AR5，采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造。该产品主要面向开关电源等工业设备应用，尤其适用于数据中心和通信基站，今日起正式出货。

TPH2R70AR5在器件结构上优化了U-MOSX-H系列，进一步改善了漏源导通电阻（RDS(ON)）、总栅极电荷（Qg）及其综合指标（RDS(ON)×Qg），相比前代产品RDS(ON)降低约8%、Qg降低37%，综合性能提升42%。此外，新器件通过应用寿命控制技术优化体二极管性能，反向恢复电荷（Qrr）降低约38%，RDS(ON)×Qrr提升约43%，有效降低导通与开关损耗，提高系统效率和功率密度。

新产品采用SOP Advance(N)封装，兼容行业标准贴装工艺，并配套提供G0 SPICE模型和高精度G2 SPICE模型，便于快速验证电路功能和精确模拟瞬态特性。东芝表示，将持续扩展低损耗MOSFET产品线，助力实现更高效电源和降低设备功耗。

YJ扬杰科技

扬杰为PD快充推出N100V MOSFET新品

扬杰科技近日发布最新一系列面向PD电源的N100V MOSFET产品。该系列产品采用优化后的SGT工艺设计，具有更低的导通电阻和栅极电荷，有效降低了器件在工作过程中的导通与开关损耗。同时，新品在抗雪崩冲击能力方面得到显著增强，能够满足PD电源中高效、稳定运行的需求。

在封装和应用层面，N100V MOSFET产品采用PDFN5*6-8L封装方案，特别适用于PD电源的同步整流场景。产品经过针对电源不同工作状态的优化设计，显著提升了EAS能力，从而在保证性能输出的同时，进一步增强了整体可靠性，为PD电源厂商带来更具竞争力的解决方案。

充电头网总结

功率半导体行业正以前所未有的速度推进技术迭代。从低压到高压、从高导阻到低损耗，从分立器件到高集成模块，每一次创新都在推动系统效率和可靠性跃升。面对市场需求和应用场景的瞬息万变，厂商不断优化性能、改进封装、拓展应用，以应对从消费电子到数据中心、电动汽车及工业设备的多样化挑战。可以预见，随着研发持续深入和创新节奏加快，功率半导体将继续引领电源系统设计潮流，为全球电子产业注入强大动力，推动行业稳步迈向新高峰。

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