充电头网从行业获悉，AOS万国半导体旗下尼西半导体科技（上海）有限公司已成功建成全球首条CSP 35微米功率半导体超薄晶圆产线。此举将晶圆加工从“被动减薄”升级为“主动功能化”，为等高功率密度应用提供核心支撑。

芯片做薄带来显著的电热性能跃升，载流子跑通时间缩短40%，发热量大减；热阻较100微米标准品下降60%。极薄厚度支持双面散热，使模块热阻再降30%，功率循环寿命翻5倍。同时，单片晶圆芯片产出增加20%，终端快充模块体积减半，电动汽车电控减重达3公斤。

万国半导体表示，加工35微米晶圆堪比“豆腐上绣花”。团队研发人员攻坚克难，将研磨精度控制在35±1.5微米，碎片率压至0.1%以内，并通过化学腐蚀消除92%的物理应力损伤。摒弃传统刀片，采用定制激光切割，切缝仅11微米，良率高达98.5%。

产线高稳定运行依托核心装备的协同创新。从精度达0.1微米的研磨机、误差小于120微米的键合机，到激光解键合与单日产出12万颗的测试系统，全链路专机配置填补了行业超精密加工的技术空白。