随着 AI 大模型训练与推理、智算中心、高密度服务器进入规模化部署，CPU、GPU、DDR 内存等核心负载对供电系统提出大电流、高效率、高频率、高可靠性的极致要求。传统分立驱动 + MOSFET 方案在布线寄生、散热、时序一致性、电流检测精度上难以满足多相高频大功率场景，集成化 DrMOS 成为算力电源的主流选型。

圣邦微电子针对 AI 算力服务器、高密度服务器供电痛点，推出SGM25890—— 一款集成驱动、控制 MOSFET、同步 MOSFET 及片内电流检测的 90A 高性能功率级芯片，以高集成度、高转换效率、完善保护与高频适配能力，为 AI 服务器核心供电提供国产化高性能 DrMOS 解决方案。

圣邦微电子 SGM25890

SGM25890 是一款高效率 90A 集成内部电流检测功率级（DrMOS），将栅极驱动、高压侧控制 MOSFET、低压侧同步 MOSFET 高度集成，通过短距离互联优化时序控制、降低开关节点振铃，同时依托封装设计强化散热能力，适配高频、大电流、低输出电压的 AI 算力供电场景。

器件采用片内 MOSFET 电流检测，相比传统 DCR 检测拥有更高电流采样精度，可协助多相控制器获取更精准的电流信息，保障均流与动态响应。芯片支持最高1.5MHz 开关频率，搭配多相控制器实现优异动态性能，满足 AI 芯片瞬时大电流吞吐需求。

SGM25890 采用Green TQFN-5×6-39L封装，工作温度覆盖 - 40℃至 + 125℃，满足服务器严苛环境长期稳定运行。

SGM25890核心特点

高集成度与大电流输出

集成驱动 + 双 MOSFET 一体化设计，单颗支持90A 持续输出能力，大幅减少外围器件、简化 PCB 布局，降低寄生参数，提升系统功率密度，适配 AI 服务器多相供电紧凑设计。

高效率与高频适配

优化驱动与 MOSFET 配比，在低输出电压（CPU/GPU/DDR）应用中效率表现突出；支持100kHz–1.5MHz宽频率范围，兼顾高频小型化与转换效率，降低电感体积与系统损耗。

高精度片内电流检测

采用电流镜采样，5μA/A 比例输出，无需额外温度补偿，电流检测精度显著优于传统 DCR 方案，提升多相系统均流精度与控制稳定性。

完善保护与状态监测

具备过温保护 OTP、逐周期过流保护 OCP、高压侧短路检测 HSS、VDRV 欠压闭锁 UVLO，并通过 TMON/FAULT 与 IMON 实现故障类型区分上报；温度监测斜率8mV/℃，支持系统实时温控与故障快速定位。

低功耗与灵活控制

支持深度睡眠模式，EN 拉低时静态电流极低；兼容3.3V 三态 PWM 输入，支持体制动负载瞬态响应，适配服务器动态负载与节能需求。

高可靠性工业级规格

输入电压4.25V–16V，驱动 / 逻辑供电4.5V–5.5V；封装热阻优异，底部焊盘强散热，满足 AI 服务器 7×24 小时高负荷运行。

应用场景

AI 服务器 CPU/GPU 核心供电

DDR 内存阵列供电

高密度多相 DC/DC 稳压模块

电信与工业级受控 / 非受控稳压

总结

SGM25890 以90A 大电流、1.5MHz 高频、高精度电流检测、高集成度、全功能保护为核心优势，精准匹配 AI 算力服务器对供电系统高效率、高功率密度、高动态响应的核心诉求。其一体化 DrMOS 架构有效解决分立方案寄生参数大、散热差、时序难控等痛点，同时提供国产化、高可靠性选型方案。

在智算中心、AI 服务器、高密度计算平台快速渗透的趋势下，SGM25890 为服务器核心供电提供高性能、高可靠、易量产的 DrMOS 解决方案，助力 AI 算力电源系统实现效率、密度与稳定性的全面提升。