前言

随着 AI 算力爆发与新能源高压化趋势，数据中心、车载电源逐步从传统低压架构迈向800V 及以上高压直流架构，以降低线路损耗、缩减铜材与布线体积。传统硅基方案存在开关损耗高、耐压不足、架构复杂、成本偏高等痛点，高压辅助电源亟需更适配的第三代半导体技术方案。

智融科技推出基于SW1192+SW1609的 65W SiC 高压辅助电源 DEMO，以300–1000V 超宽直流输入、24V/2.7A 输出、满载效率最高 95.27%的优异性能，为数据中心 800V HVDC、新能源车载高压平台、工业高压供电、储能变流器等场景提供高可靠、高效率、小体积的单端反激解决方案，助力高压供电系统向低损耗、高功率密度、低成本方向升级。

核心拓扑与芯片方案

DEMO 采用1700V SiC MOSFET + 单端 QR 反激 + ZVS 同步整流创新拓扑，核心搭载智融自研两颗关键芯片：

初级侧 SW1192 准谐振反激控制器：支持 SiC 直驱，驱动电压 17.5V，充分释放 SiC 器件低导通电阻、低开关损耗优势；具备谷底锁定、抖频降 EMI功能，VDD 宽压 12–90V，驱动能力动态可调，系统稳定性与抗扰性大幅提升。

次级侧 SW1609 ZVS 同步整流芯片：实现高输入电压下初级开关管ZVS 软开启，显著压低开关损耗，降低功率管发热与温升，相比非 ZVS 同步整流方案，高压段效率提升更明显。

该方案无需外置 SiC 驱动电路，简化拓扑、减少器件数量，有效降低 BOM 成本与系统复杂度，可靠性显著提升。

对比传统双管反激、硅基控制器 + 外置 SiC 驱动方案，智融此方案实现三大维度突破：

效率跃升：效率从传统 85%–90% 提升至92%–95.27%，高压输入下仍保持高能效。

集成度更高：直驱 SiC 省去外置驱动，器件更少、PCB 更紧凑，功率密度领先。

成本更优：简化拓扑降低 BOM 成本，同时减少散热设计投入，量产性价比突出。

可广泛应用于数据中心 HVDC 辅助供电、车载 OBC/DC-DC 辅助电源、工业高压模块、储能变流器等场景，完美适配 800V 高压平台升级需求，为高压供电系统提供高效、可靠、高性价比的第三代半导体解决方案。

总结

智融科技65W SiC高压辅助电源DEMO的核心优势尤为突出，相较于传统硅基方案和双管反激方案，其以SW1192+SW1609自研芯片组合为核心，实现SiC直驱设计，无需外置驱动电路，既简化了拓扑结构、减少器件数量、降低BOM成本，又通过单端QR反激与ZVS同步整流的协同作用，将满载效率提升至95.27%，即便在900V高压输入下仍保持92.05%的高效表现，同时兼顾小体积、高可靠性与强抗扰性，完美解决了高压辅助电源长期存在的效率低、成本高、架构复杂、可靠性不足等核心痛点。

该DEMO的推出对800V高压平台发展及相关产业升级具有重要意义，不仅为数据中心800V HVDC、新能源车载800V OBC等高压平台提供了高适配、高性价比的辅助电源解决方案，破解了高压架构升级过程中辅助电源的技术瓶颈，更推动了第三代半导体SiC技术在高压供电领域的规模化应用，助力AI算力、新能源汽车、工业自动化、储能等相关产业降低能耗、提升产品竞争力，加速整个高压供电产业向低损耗、高功率密度、低成本的高质量发展方向迈进。