5月22日，2026世界AI服务器电源大会（PSU 2026）在深圳顺利举行。本次大会聚焦AI数据中心电源架构升级、800V HVDC、高功率密度电源模块、第三代半导体器件等热门方向。

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英嘉通半导体在大会上围绕 AI 服务器电源功率器件演进趋势、SiC 与 GaN 第三代半导体材料优势解析、SiC MOS 器件实测性能表现、高低压 GaN 产品技术特性，以及宽禁带半导体在算力电源中的产品布局与未来技术规划进行深度分享。

AI 服务器正在迎来电力架构全新变革，SiC 和 GaN 功率器件各司其职、互补赋能。英嘉通半导体深耕第三代半导体赛道，始终坚持做客户满意和用户喜爱的优质功率器件产品，致力成为 AI 服务器电力革命的坚实新基石。

赢嘉通此次分享一共分为四大板块，分别为服务器电源功率器件介绍、英嘉通 SiC 功率器件介绍、英嘉通 GaN 功率器件介绍以及最后的内容总结。

目前服务器电源功率器件正从传统硅基材料，快速向 4H-SiC、GaN 第三代半导体迭代升级。通过 Si、4H-SiC、GaN 关键材料参数对比，能够清晰看到宽禁带半导体在击穿场强、电子迁移率、热导率及多项 FOM 品质因数上具备明显优势，是服务器电源实现高效率、高功率密度的核心支撑。

当下服务器电源内部功率器件类型丰富、分工明确。功率二极管主要负责整流、续流和电路保护；功率 MOSFET 是 PFC 与 DC/DC 转换的核心开关器件；IGBT 适合大功率中高压变换场景；GaN、SiC 作为第三代半导体，分别在高频、高压场景具备不可替代优势；各类集成功率模块，进一步提升整机集成度与运行可靠性。

服务器电源功率器件正向两大方向演进：第一是高频化与高效率升级，行业持续拉高开关频率来提升功率密度，GaN 凭借极低开关损耗成为高频方案首选；第二是高压化架构升级，供电系统从传统 12V 逐步往 48V、800V 方向演进，SiC 凭借耐高压、耐高温特性，成为高压架构落地的关键器件。

英嘉通基于 48W 应用平台，完成了全电压、全负载工况的效率实测。产品在 90V、115V、230V、265V 多档输入条件下，全程负载效率表现平稳均衡，其中 230VAC 平均效率可达 92.59%，满载效率高达 93.19%，充分验证了英嘉通 SiC 器件优异的转换性能与平台设计稳定性。

在空载功耗表现上，英嘉通旗下 SiC MOS 器件整套测试数据优势十分突出。低压 90VAC 工况空载功耗仅 30mW，115VAC 为 35mW；高压 230VAC 仅 72mW，264VAC 也只有 80mW。这类超低空载损耗，能大幅降低设备长期待机能耗，也可轻松满足全球严苛的六级能效认证要求，具备显著节能与成本优势。

英嘉通对 SiC MOS 平台进行满载工况实测，264VAC 满载下输出纹波仅 155mV，电源输出纯净稳定；器件 VDS 最大电压 578.39V，远低于额定耐压阈值，留有充足设计裕量，保障系统长期可靠运行。

从启动和短路实测波形可以看出，英嘉通 SiC 器件上电时输出电压建立快速平稳，没有明显过冲现象，电压调节能力表现优秀；当出现输出短路故障时，电路能够快速响应并可靠关断，器件电压被有效钳位在安全区间，整机防护机制完善可靠。

在 10%~90% 大范围动态负载切换测试中，输出电压纹波控制优秀，环路动态响应速度快；当输出电流超过设定阈值时，系统会及时触发过流保护，快速规避器件和后端负载受损，完全适配 AI 服务器负载频繁波动的复杂工况。

英嘉通在密闭空间内，对 Demo 板进行了超过 2 小时的满载老化测试。实测 90VAC 低压满载下器件温度为 112.6℃，264VAC 高压满载仅 86.7℃，全程温升可控、热表现稳定，完全适合长时间不间断连续工作场景。

整体来看，搭载英嘉通 IGC600R075X1T 的 48W Demo 平台，完整展现出 SiC MOS 高效率、超低待机功耗、高耐压余量、优秀动态响应和良好热稳定性等多重优势。英嘉通 SiC 器件非常适合高性能快充、PD 适配器、工业电源以及服务器电源等各类高端应用。

英嘉通在 230VAC 标准满载工况下，对两款 SiC MOS 和传统硅超结器件做了同台对比测试。实测两款 SiC 器件满载效率均突破 94%，相比传统 Si SJ 器件优势非常明显，能够有效降低整机损耗、提升产品能效等级。

从开关速度和稳态温升两个关键维度对比，同电压等级下 SiC 器件开通速度远优于硅超结产品；高压满载工作时，SiC 器件温升更低，既能简化整机散热设计、节省 BOM 成本，也能进一步提升电源长期运行可靠性。

GaN 器件拥有独特的横向物理架构，内部设计两组相对的源极与栅极结构，可以在同一漂移区里同时实现双向耐压与双向导电。这种结构能够有效缩小芯片面积，为电源小型化、高功率密度设计提供天然优势。

在需要同时双向导电、双向耐压的应用场景中，传统硅 MOS 需要多颗器件背靠背串并联才能实现功能。英嘉通 GaN BDS 器件只需单颗即可满足同等需求，在 PCB 占用面积、导通损耗、开关频率、抗反向恢复以及可靠性方面，都具备全面领先的优势。

目前英嘉通已量产推出两款 40V 低压 GaN 器件产品，具备低导通电阻、大电流承载能力，同时采用超小型 WLCSP 封装。英嘉通这款产品可广泛应用于高压侧负荷开关、智能手机 USB 端口过压保护、多电源系统开关电路等场景。

英嘉通 40V GaN 器件完成了 500h 的 HTGB 高温栅偏可靠性测试，测试全程零失效，器件关键参数没有出现明显漂移。产品工艺成熟、一致性好，可满足工业、服务器等场景的高可靠长期运行要求。

在 100V 电压平台上，英嘉通 GaN HEMT 对比传统硅 MOS 优势突出，比导通电阻仅为硅器件的 70%，Ron*Qoss、Ron*Qg 等关键 FOM 值大幅优化，开关损耗更低、高频适配能力更强，整体性能处于行业较高水平。

英嘉通全系 100V GaN 器件均通过 HTRB、HTGB、bHAST 等多项行业严苛可靠性认证，器件击穿耐压、栅极耐压、介质耐压等指标全部达标，产品稳定性和批量可靠性都有充分保障。

当下 AI 服务器算力需求持续爆发，对电源功率密度、转换效率、工作可靠性都提出了更高要求，传统硅基器件已经逐步逼近物理性能极限。SiC 与 GaN 作为宽禁带核心材料，正在成为服务器电源架构革新的关键支撑。

英嘉通现已完成 SiC+GaN 完整第三代半导体产品矩阵布局，SiC 主打高压高效场景，GaN 聚焦高频高密应用；同时公司也在前瞻布局 SiC JFET 技术研发，未来将持续为 AI 服务器、光伏储能、工业电源、高端快充等领域，提供高性能、高可靠的功率器件解决方案。

想要了解公司更多详情与产品，可登录官网：https://www.ingacom-semi.com。英嘉通目前在苏州、深圳两地均设有办公及研发场地，始终秉持求同、高效、务实、创新的企业理念，专注为客户提供高品质第三代半导体功率器件与技术服务。

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