随着 AI 算力迎来爆发式增长，AI 数据中心对供电电源提出超高功率密度、超高效率、高可靠性的严苛要求，如何匹配算力巨兽的电力需求，已然成为电源行业面临的核心课题。

在此行业背景下，安森美推出多款适配 AI 数据中心的 PSU 参考设计，以自研器件技术与成熟方案，引领数据中心电源技术迭代升级。

在高功率旗舰方案上，安森美重磅推出12kW EU ORV3 PSU 参考设计，整机峰值效率可达 98%，核心搭载安森美全套 CJFET MOS 管解决方案，凭借器件先天优势打破传统碳化硅 MOS 应用局限。

相较于常规碳化硅 MOS，CJFET 器件最大亮点在于极低的单位面积导通电阻，仅需少量器件即可承载大功率输出，大幅提升功率密度。

硬件架构层面，12kW PSU 采用行业主流三相交错图腾柱 PFC + 三相 LC + 同步整流经典拓扑，同时增设背 Boost 电路满足设备 hold-up 延时需求。

方案中核心关键器件均全覆盖安森美 CGFET 产品：PFC 慢管仅采用两颗 5 毫欧拓封装 CGFET MOS 管，便可承载 12kW 大功率输出；背 Boost 电路为实现 12kW 工况下 20 毫秒保持时间，也仅使用两颗 8 毫欧 CGFET 器件，极大节省设备内部布局空间。

LC 谐振环节搭配 6 颗 8 毫欧拓封装 CGFET，支持高频工作模式，完美适配高频化电源设计趋势。在低压同步整流部分，安森美选用自研80V、5×6 封装、1.4 毫欧双面散热 MOS 管。

业内同规格低压器件中，双面散热封装设计十分罕见，针对性解决了高功率电源散热痛点，为数据中心电源长期稳定运行筑牢散热保障，也是安森美为适配数据中心高效率、高功率密度应用专门定制的产品方案。

除 12kW 大功率方案外，安森美还推出3kW 双版本参考设计，分别为 CJFET 版本与碳化硅版本。两款方案硬件板型、功率规格、运行性能基本一致，推出双版本的核心考量，是为解决行业客户产品升级的实际痛点。

传统硅 MOS 升级至碳化硅方案时，往往需要大幅改动驱动电路、调整驱动电压，设计迁移门槛高；而安森美 CJFET 产品可直接兼容替代硅 MOS，无需大幅改动驱动架构，设计迁移便捷性大幅提升。同时双版本实物对比，也直观验证了 CJFET 器件性能可媲美碳化硅器件，为客户选型提供高性价比、易落地的新选择。

从行业趋势看，AI 数据中心 PSU 正快速向大功率、高电压升级，现已从早期一两千瓦迭代至主流 4.2-5.5kW，8-12kW 机型即将普及，HVDC 更是迈向 18-30kW 级别，输出电压集中向 400/800V 靠拢。长远来看，数据中心供电将走向电网到负载端到端全链路方案，未来可省去工频变压器，由 10kV 中压电网直接输出 800V 直流电，精简链路、降低损耗，成为下一代数据中心基建的主流方向。

整体而言，AI 算力浪潮倒逼电源技术迈向性能极限，安森美凭借自研 CJFET、CGFET 等核心器件，搭配 12kW、3kW 全系列成熟 PSU 参考设计，不仅解决了当下数据中心高功率、高效率、易设计的刚需，更精准预判并契合了行业端到端供电的未来趋势，为电源企业、数据中心厂商提供了可落地、可迭代的完整供电解决方案。