前言

随着AI推理、智能体工作流及加速计算的爆发，数据中心正加速向“AI工厂”演进。机架功率持续攀升、GPU功耗激增，供电已从幕后支撑变为系统性能与密度的核心瓶颈——尤其从800 VDC到GPU低电压的转换，在有限空间内要实现高效率、高转换比并控制热密度，难度陡增。

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相比传统硅器件，GaN凭借更低的导通电阻、栅极电荷、寄生电容及零反向恢复特性，能以更高开关频率运行，显著降低损耗、缩小无源器件尺寸并改善热性能，从而直接提升系统功率密度、降低总拥有成本，成为破解高密度AI供电难题的核心技术。

作为NVIDIA MGX™生态系统成员，英诺赛科近日正式公布了其全氮化镓电源转换技术路径，旨在覆盖从800 VDC到GPU核心电压的整个供电路径，为下一代AI基础设施提供高密度、高效率的GaN解决方案。

前不久举办的2026 世界 AI 服务器电源大会上，英诺赛科嘉宾还带来了重磅演讲！

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全GaN方案覆盖整个AI电源链路

英诺赛科将全GaN供电路径划分为多个关键转换级，分别推出对应解决方案：

800V转48V前端转换

针对高电压、高功率、紧凑空间的前端转换需求，英诺赛科展示了12kW、800V至48V的全GaN LLC设计。

原边采用650V GaN 8x8双面散热（DSC）器件，副边采用100V GaN 5x6 DSC器件，实现1MHz开关频率，峰值效率约99%，满载效率达98.2%。新发布的150V GaN器件可将副边同步整流管数量减少50%。

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中间总线转换（800V转12/6V及48V转12V）

针对部分AI电源架构选择12V或6V作为中间总线，以简化后续负载点转换或减少转换级数场景，英诺赛科提供800V至12V（40V GaN，5×6mm或3.3×3.3mm DSC封装）以及800V至6V（15V GaN）方案。

同时，针对48V至12V中间总线转换，其100V GaN方案优化了多相降压设计，有助于在AI工厂规模下降低冷却需求和运营成本。

PoL转换——12/6V 到 GPU 核心电压

随着GPU电流激增，垂直供电（VPD）成为缩短电流路径、降低寄生损耗的重要方向。目前英诺赛科已验证15V GaN HEMT在3~5MHz频率下运行可行性，并正在开发集成驱动的DrGaN解决方案，以提升对GPU快速瞬态响应的带宽，减少输出电容需求。

全GaN参考设计降低客户开发门槛

为帮助系统设计人员快速验证GaN性能，英诺赛科提供12kW、800V至48V PDB演示板，48V 至 12V 四相 GaN 评估板以及即将推出的6V DrGaN评估板（面向垂直供电架构）。

* 开发中

这些工具覆盖从高压前端到负载点的完整电源树，使客户能够基于实测数据评估GaN在高频、高密度场景下的系统收益。

总结

NVIDIA MGX生态系统旨在加速模块化、可扩展、面向未来的AI基础设施部署。随着AI工厂向更高机架功率、更高计算密度演进，功率半导体必须同步升级。英诺赛科全GaN技术方案覆盖从800 VDC到GPU核心的每一级转换，实现更高开关频率、更低损耗、更小无源器件和更高功率密度。作为NVIDIA MGX生态成员，英诺赛科将持续推进高效率、高密度、可扩展的AI供电基础设施，为下一代加速计算系统提供坚实支撑。