聚焦 SiC 落地痛点与机遇，昕致微全域应用方案解析

6 月 12 日，由功率之心主办，服务器电源网、芯片网协办的2026世界碳化硅大会（SiC 2026）通过“服务器电源拆解”视频号圆满完成线上直播。

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活动汇聚全球碳化硅产业链前沿力量，邀请多家国内外领先企业嘉宾发表主题演讲，围绕SiC器件技术、AI服务器电源、固态变压器（SST）、封装创新、应用落地等核心方向展开深度分享，输出满满行业干货，为第三代半导体从业者搭建了高效的技术交流与经验互通平台。

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北京昕致科技的吕春先生分享了碳化硅器件在各类应用场景中的优势与劣势。本次分享围绕产业趋势、技术挑战、场景落地以及企业实力展开，和各位共同探讨 SiC 功率器件的发展现状与未来方向。

本次分享主要分为四大板块：

第一部分为 SiC 功率器件发展趋势与整体应用格局；

第二部分解析 SiC 器件技术发展趋势与现存挑战；

第三部分结合细分领域，详解 SiC 器件在不同应用场景下的优劣势；

最后为大家介绍北京昕致科技的企业概况与综合实力。

功率器件是智能终端、能源网络、工业系统等高端装备的核心 “心脏”。随着储能、AI 算力中心等新兴领域快速崛起，新型功率半导体也迎来了明确的增长主线，成为半导体产业中极具发展潜力的赛道。

功率器件是半导体领域增长最快的细分赛道之一，根据行业机构 Yole 数据预测，2024 至 2030 年，全球功率器件市场年复合增长率可达 8.7%。

目前市场增长主力集中在汽车电子、工业控制、智能开关、消费电子以及 AI 数据中心五大领域，需求持续释放。

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，正在重塑全电压区间的功率器件市场格局，逐步替代传统硅基器件。

从电压等级划分，不同宽禁带、硅基器件对应家电、工业、新能源、轨道交通、数据中心等差异化场景。行业预判，到 2030 年，SiC 与 GaN 两类器件在功率器件整体市场的占有率将提升至 24%，市场空间广阔。

为满足系统高效率、降成本的核心需求，下游终端不断提升工作电压，这也倒逼上游功率器件厂商持续调整产品策略，推出更高耐压等级的器件产品，主动适配市场电压升级的大趋势。

除了适配系统电压升级，功率器件在设计、制造、封装全环节也在不断迭代升级。晶圆尺寸方面，硅基器件从 8 英寸向 12 英寸演进，SiC 器件则从 6 英寸逐步升级至 8 英寸。

器件端通过缩小单元节距、创新芯片结构、拓展新型器件形态提升性能；同时行业朝着高集成化、系统集成化方向发展，叠加新材料、新工艺、新封装的落地，全方位挖掘器件性能潜力。

我国拥有全球规模最大的新能源汽车、光伏、储能应用市场，庞大的市场需求叠加降本诉求，推动功率半导体产业链国产化比例不断提升。同时国际环境变化也进一步加快了国产化进程。

对于国内企业而言，国产化既是难得的发展机遇，也意味着激烈的市场竞争，如何在行业竞争中稳健发展，是全行业共同思考的问题。

接下来进入第二部分内容，重点分析 SiC 器件技术发展趋势与实际落地过程中面临的各类挑战。

SiC 器件的快速发展，由多重因素共同驱动：下游旺盛的市场需求、器件本身优异的性能、产业政策与生态协同、产品成本持续下探，共同构筑了 SiC 产业发展的核心动力。

从市场数据来看，SiC 器件市场年复合增长率高达 29%，高速增长的市场，成为技术迭代最核心的助推力。

相比传统平面结构，SiC 沟槽 MOS 可以进一步缩小芯片尺寸、降低比导通电阻 Rsp，同时优化沟道迁移率，是主流技术发展方向。

但该技术也存在明显挑战：沟槽底部会产生强电场，必须设计特殊的屏蔽结构，且早期入局企业已构筑起较高的专利壁垒，国内厂商需要突破或规避现有专利，才能实现技术落地。

在 SiC MOS 芯片上集成肖特基势垒二极管（SBD），能够有效改善 MOS 体二极管导通压降高、双击退化等问题，同时缩减系统体积、提升整机效率。

该项技术的主要难点在于，集成 SBD 会增大芯片面积、推高器件成本，与行业降本的大方向形成矛盾，也是技术落地需要平衡的关键点。

封装技术是发挥 SiC 高温、高频、高压优势的关键。目前行业主流方向包括：

采用纳米铜烧结工艺降低热阻，充分释放 SiC 高温性能；

使用嵌入式封装技术，将杂散电感降至 2.5nH；

尝试以 SiC 作为绝缘介质层，实现真正的热电分离。

新工艺在提升性能的同时，也对封装材料、制造工艺提出了更高要求。

硅器件与 SiC 器件混合封装，能够在系统效率与综合成本之间找到最优平衡点。其中 SiC JFET 搭配 Si MOS 的共源共栅架构，还可以解决 SiC JFET 常开的固有问题，大幅拓展器件应用场景。混合封装、混合模块、智能功率模块成为当下封装领域的重要发展方向。

第三部分也是本次分享的核心内容，结合电源、变频器、焊机、充电桩、光伏等细分赛道，逐一分析 SiC 器件在不同应用场景下的优势、劣势与选型要点。

在电源领域，行业常使用 SiC MOSFET 替代传统超结 MOS 与 GaN 器件，但传统方案存在短板：器件成本偏高、存在零压关断难题，且在 15V 驱动条件下易进入退饱和状态。若增加负压关断环路，单台设备成本将增加 0.3~0.5 元，抬高整机设计门槛。

针对行业痛点，昕致微 SiC 产品做出针对性优化：器件导通电阻在 15V 驱动下呈现微负温度特性，高温工况导通损耗表现更佳；无需负压辅助关断，抗干扰能力强，15V 电压即可完全开启，同时阈值电压动态老化波动率控制在 5% 以内，稳定性突出。

SiC JFET 是变频器场景的优选器件之一，核心优势十分突出：沿用 Si MOS 栅极控制逻辑，可兼容现有硅基器件驱动电路；继承 SiC 高耐压、高结温、低损耗的材料特性；短路耐受能力优于常规 SiC MOS，同时规避了 SiC MOS 栅氧可靠性隐患，通态电流可达普通 SiC MOS 的 3 倍。

该器件也存在明显短板：封装工艺复杂，SiC JFET 与 Si MOS 的参数匹配难度大；高温下参数波动明显，高频工况关断电压尖峰、震荡问题突出。

综合优劣势来看，SiC JFET 更适配 8~20KHz 工作频率的变频器、固态变压器以及智能开关等场景。

在感应加热、逆变焊机领域，设备分为前级整流、逆变、后级整流三大模块，针对不同模块，昕致微均有对应的 SiC 器件可供选择。

前级整流优先选用 SiC JFET、SiC MPS，具备高浪涌、高耐压特性，可优化品质因数、降低功耗；逆变部分主打 SiC MOS，耐压能力强、抗串扰表现优异；后级整流适配 SiC JBS，拥有低导通压降、高方波浪涌、低漏电等特点。器件主流采用 TO-247 系列封装，满足大功率焊机的使用需求。

针对手工焊机使用的 PIM 集成模块，SiC 方案实现了多重升级。集成化设计能够减少线路杂散电感，优化高频性能；简化整机装配流程、提升生产效率，同时缩小设备体积。依托 SiC 器件低损耗的特性，还能提升焊机整体工作效率，助力设备走向小型化、轻量化。

在 40KW 充电桩系统中，针对不同电路模块，昕致微也有明确的 SiC 器件选型方案：

前级整流选用 SiC JBS、SiC JFET、SiC MPS，主打高浪涌、高耐压；

PFC 电路与 DC/DC 变换电路采用 SiC MOS，抗串扰、耐压表现优异；

后级整流搭配 SiC JBS，具备低导通压降、高方波浪涌、低漏电的特点。

昕致微全系列器件以 TO-247 封装为主，完美匹配充电桩高压、大电流的工况要求。

在光伏市场中，以 6KW 光伏逆变器为例，PFC 电路可选用昕致微 SiC MOS 与 SiC JBS，支持零压关断、耐受高浪涌电流；逆变部分采用昕致微高耐压 SiC MOS，抗串扰能力出色，大功率机型可搭配 EASY2B 功率模块封装。SiC 器件的应用，有效提升了光伏逆变器的转换效率与运行稳定性。