由 GaNFET.Com 主办，服务器电源网、功率之心协办的2026 世界氮化镓大会（GaN 2026），将于2026 年 7 月 31 日14:00-18:00 直播。

从手机快充到服务器电源，氮化镓的应用边界正在不断拓展。凭借高频、高效的特点，GaN 可帮助电源方案提升转换效率、缩小体积，并在功率密度要求更高的应用中展现出优势。尤其在 AI 服务器、数据中心、工业电源等领域，氮化镓正成为推动电源系统升级的重要技术方向。

本届大会将邀请氮化镓产业链上下游企业，围绕器件设计、驱动控制、封装散热、系统架构及终端应用等方向展开交流，结合实际应用案例，探讨 GaN 在高频化、高效率和高功率密度电源方案中的发展机会。

对于氮化镓行业而言，器件性能只是基础，真正决定方案竞争力的，还包括驱动、封装、磁性元件、拓扑设计和散热等环节之间的配合。

特别是在 AI 服务器电源、数据中心供电及高功率快充等场景中，如何把 GaN 的器件优势转化为整机效率、功率密度和可靠性优势，已成为产业链共同关注的重点。

大会议程

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以下是演讲企业介绍，排名不分先后，按照演讲顺序排列。

茂睿芯（深圳）科技有限公司

英诺赛科(苏州)科技有限公司

广东致能半导体有限公司

珠海镓未来科技有限公司

Power Integrations

苏州英嘉通半导体有限公司

上海新微半导体有限公司

Navitas Semiconductor，NVTS

14:00-14:20

MERAKI茂睿芯

茂睿芯（深圳）科技有限公司

茂睿芯（深圳）科技有限公司是一家专注于高性能模拟及混合信号集成电路设计、研发、销售与技术服务的国家高新技术企业，同时也是国家级专精特新 “小巨人” 企业。公司成立于2017年，总部位于深圳，在北京、上海、无锡、天津等地均设有分部。

茂睿芯始终坚持自主研发、创新驱动，秉承平台化发展策略，业务覆盖消费电子、工业和汽车3大应用领域，产品主要聚焦于光伏储能、充电桩、汽车电子、高端算力电源、工业电源和自动化以及PD快充等应用领域。

自主开发5大技术平台，同时具有功率器件开发能力，并依此形成了三大业务线，超400个产品型号，其中涵盖了国内稀缺的120V高压BCD技术、磁隔离技术、90A大电流算力服务器电源技术、千瓦级工业电源管理一站式方案、 CAN SIC接口技术，每条产品线都开发了业界或者国内的领先产品。

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茂睿芯（深圳）科技有限公司市场应用经理梁潮裕将带来主题演讲，演讲主题敬请期待。

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14:20-14:40

Innoscience英诺赛科

英诺赛科（苏州）科技股份有限公司

在港交所上市（股票代码：02577.HK），Innoscience是GaN工艺创新与功率器件制造领域的全球领导者。该公司的器件设计与性能为全球GaN技术树立了标杆。我们持续迭代与创新的文化加速了GaN解决方案的性能提升与市场应用。

Innoscience的GaN产品覆盖从15V到1200V的广泛范围，服务于低压、中压和高压应用。我们通过提供外延片、分立器件、集成电源IC和模块等产品，为客户提供强大且可靠的氮化镓解决方案。凭借涵盖已授权和待授权专利的全面专利组合，英诺赛科提供的产品以其高可靠性、卓越性能和先进功能而闻名。

这些解决方案服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源和工业电源系统等多元化领域，为氮化镓技术赋能的光明未来铺平了道路。

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英诺赛科（苏州）科技有限公司应用工程部技术经理张桢将带来主题演讲：从Si到GaN：助力AIDC供电架构全面升级。

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14:40-15:00

ZIENER致能

广东致能半导体有限公司

广东致能半导体有限公司，成立于2018年12月，是一家致力于第三代半导体氮化镓的研发与产业化的高新技术企业。公司总部设立在深圳，在广州、上海、徐州等地设有研发基地和市场销售中心。公司的主要产品涵盖从低压到高压的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

公司拥有多项全球领先的氮化镓功率器件专利，在常开型栅结构、垂直沟道技术等方面居于国际先进行列，具有完全自主的知识产权，获得多项行业嘉奖。

公司与国内多家应用头部企业开展深度合作，产品性能优越。致能作为技术全球领先的第三代半导体公司，在氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的氮化镓量产平台。公司完成首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台，在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可广泛用于工业、新能源以及汽车等领域。实现了中国第三代半导体跨越式发展。

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广东致能半导体有限公司应用工程师傅立新将带来主题演讲：应用定义器件，GaN器件为系统创新而生。

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15:00-15:20

GaNext镓未来

珠海镓未来科技有限公司

珠海镓未来科技有限公司成立于 2020 年 10 月，公司专注于第三代半导体氮化镓技术的研发、制造和应用，提供从 30W 到 6000W 的氮化镓器件及系统设计解决方案，核心团队由 IEEE Fellow 吴毅锋博士领衔，前华为海思化合物半导体创始成员组成。依托国际化的技术研发团队，镓未来积累了 20 多项专利，覆盖从器件结构、关键工艺、封装到电源系统设计等全过程。目前，镓未来已完成多轮融资，投资方包括珠海科创投、大横琴集团、境成资本、礼达基金，融资金额过亿。

项目内容：投资建设世界领先工艺氮化镓晶圆厂，发展氮化镓高端制造业，推动“设计制造一体化发展”。建设氮化镓应用中心，联动设计、材料、设备、流片、封测各环节及产业链上下游，大力拓展氮化镓功率产品应用市场，带动大湾区功率电子产业集群发展。打造世界级氮化镓功率产品设计、制造、应用中心，助力深合区加快建成特色半导体产业创新发展高地。

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珠海镓未来科技有限公司IP与技术合作总监张大江将带来主题演讲：GaN器件赋能12kW PSU：高效率、高功率密度的实现路径。

本次演讲主要介绍面向AI数据中心的12kW PSU全链路GaN部署方案。PFC级采用6颗G2N65R023TP-H，零反向恢复特性使三相交错图腾柱拓扑成为可能，配合Power Shedding技术优化轻载效率。

DC Bus级采用2颗G2E65R009TM-H，高频开关实现Baby Buck-Boost主动能量管理，电解电容降至传统方案1/3。LLC级采用6颗G2N65R015QD-N，高频软开关降低磁件体积，三相交错抑制输出纹波。GaN低FOM优值支撑68mm窄机身、>90W/in³功率密度及97.3%效率，DVT阶段将突破97.5%目标。

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15:20-15:40

Power Integrations

Power Integrations, Inc.是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司。旗下产品是清洁能源生态系统中的关键组成部分，可在包括家用电器、移动设备、计算机和无数工业应用在内的各种应用中实现可再生能源发电以及高效输电和用电。

我们的PowiGaN™氮化镓技术和EcoSmart™能效技术等节能技术每年可避免数十亿千瓦时的能源浪费，而高集成度芯片每年可节省数十亿个电子元件。由于旗下产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入Nasdaq Clean Edge Green Energy Index（纳斯达克Clean Edge清洁绿能指数）和Etho Climate Leadership Index（Etho气候领导指数）等清洁技术股票指数的成分股，绿色空间则提供了有关全球能效标准的综合指南。

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Power Integrations资深FAE江盛明将带来主题演讲：超薄高效800V数据中心辅源解决方案。

随着800V母线架构在数据中心中的逐步应用，辅助电源设计面临前所未有的挑战。这些挑战包括：极致的薄型化要求、无散热片的设计约束，以及更小的PCB占板面积。而对于800V高压输入系统而言，实现这些目标尤为困难。在高压条件下，工程师需要重点关注开关损耗、功率器件温升，以及由此对系统可靠性与安全性带来的影响。同时，为满足高功率密度和超薄的设计需求，平面变压器已成为数据中心电源架构中辅助电源设计的关键技术选择。

本次研讨会将重点介绍基于Power Integrations（PI）推出的两款参考设计，这些设计采用了1700V PowiGaN™开关的InnoMux™-2系列方案，并结合平面变压器技术，实现了：

▪ 卓越的系统效率表现

▪ 超高功率密度

▪ 高度集成带来的设计简化

▪ 显著提升的系统可靠性

这些参考设计特别适用于无液冷散热的数据中心计算托盘电源系统，为高压辅助电源设计提供了切实可行且具有前瞻性的解决方案，具备重要的参考和借鉴价值。

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15:40-16:00

INGACOM英嘉通

苏州英嘉通半导体有限公司

英嘉通半导体主要聚焦第三半导体的研发和销售，主要产品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射频器件等。产品应用于消费、工业和汽车等领域。国家高新技术企业，江苏省潜在独角兽企业，江苏省双创企业，专精特新中小企业，广东省科技进步二等奖等荣誉。累计获得专利等知识产权100多项。

英嘉通氮化镓功率器件量产规格超过50款，高压和低压种类齐全，出货量位居国内前列；氮化镓射频芯片已大批量出货，细分领域龙头；碳化硅功率器件在包括750V-3300V，13mΩ-55Ω，出货量行业领先。

GaN To Go，SiC To Go，英嘉通团队始终坚持做客户满意和用户喜爱的好产品。我们不断创新引领射频和功率半导体的技术革新服务人类，携手合作伙伴共同推进第三代半导体的全球大规模应用。

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苏州英嘉通半导体有限公司高级应用工程师刘灏成将带来主题演讲：快充起步AI算力达英嘉通GaN功率器件遍地花。

英嘉通氮化镓(GaN)功率器件方案，让电子产品更小、更快、更高效！GaN作为第三代半导体，不仅能提升手机快充速度，还能为AI服务器和新能源汽车提供强劲动力。

英嘉通产品覆盖从高压快充到低压车载雷达的全场景应用，其独特的“双向开关”技术更大幅简化了电路设计。

未来随着8英寸产线量产，GaN成本将进一步降低。英嘉通正以技术创新推动产业革新，让前沿科技惠及生活。

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16:00-16:20

AMSFAB新微

上海新微半导体有限公司

上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”），成立于2020 年1 月，位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。作为先进的化合物半导体晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，专注于为各领域的客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。产品可广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和医疗等终端应用领域。

作为客户可信赖的合作伙伴，新微半导体不仅拥有完备的工艺制程和全套的解决方案，还为客户提供设计支持、MPW晶圆服务、光罩服务、测试与分析服务等众多增值服务，以缩短客制产品进入市场的时间，为客户创造更高的商业价值。

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上海新微半导体有限公司产品总监刘天猷将带来主题演讲：氮化镓功率晶圆代工：工艺技术演进与产业新机遇。

近年来，氮化镓凭借高电子迁移率、高开关频率与高功率密度等核心优势，应用边界持续拓宽：在完成消费电子快充领域规模化渗透后，快速向数据中心供电、新能源汽车、光伏储能等场景延伸，产业增长动能强劲。

立足化合物半导体代工领域，本次演讲将结合行业现状与量产实践，重点分享 GaN 功率代工关键技术、成熟工艺平台、全流程质量管控体系；同时深度研判当前产业面临的技术瓶颈与市场挑战，并结合技术迭代方向挖掘全新产业机遇。

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16:20-16:40

Navitas纳微

Navitas Semiconductor，NVTS

纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）是新一代功率半导体行业领导者，专注于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。

凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累，纳微旗下的GaNFast™功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成，实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC™高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术，为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。

纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral®碳中和认证的半导体公司。

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