在2026世界氮化镓大会上，苏州英嘉通半导体有限公司高级应用工程师刘灏成发表《快充起步，AI算力达，英嘉通GaN功率器件遍地花》主题演讲，围绕氮化镓市场变化、高低压产品布局、实际应用测试及可靠性等内容展开分享。

刘灏成表示，过去几年，氮化镓凭借更高的开关频率、更小的电源体积和更高的转换效率，在消费快充市场实现规模化应用。

不过，快充只是氮化镓产业发展的起点。AI算力增长推动数据中心供电架构从12V向48V乃至800V HVDC演进，汽车电子也对OBC、DC-DC和激光雷达驱动提出了更高要求，氮化镓正从消费电子加快进入数据中心、汽车电子等高价值市场。

快充打开市场，AI算力拓宽应用边界

相比传统硅材料，氮化镓在禁带宽度、击穿电场和电子饱和速度等方面具有明显优势。在相同耐压条件下，GaN器件能够实现更低的导通电阻和更高的开关频率，为电源系统提升效率和功率密度提供基础。

目前，消费电子仍是氮化镓的主要应用市场，覆盖PD快充、高功率适配器、移动储能、移动电源以及电视和显示器电源等产品。

英嘉通的消费类方案覆盖65W至240W功率段，并进一步延伸至更高功率的多口快充和适配器。

与此同时，AI数据中心正在成为氮化镓的重要增量市场。随着服务器单机功率和机柜功率持续提高，电源系统不仅要提升转换效率，还要在有限空间内实现更高功率输出。

在图腾柱PFC中，GaN器件接近零反向恢复损耗的特点有助于提高开关频率，转换效率可超过99%；在3kW至5kW服务器主电源中，高频化则可以缩小电感、变压器等被动器件体积，进一步提高整机功率密度。进入48V转12V中间总线转换环节后，低压GaN还可用于半桥、全桥LLC等拓扑，兼顾转换效率和负载瞬态响应。

700V高压GaN覆盖快充及适配器

在高压产品方面，英嘉通已经推出700V E-Mode GaN系列，导通电阻覆盖30mΩ至1.2Ω，并提供DFN 8mm×8mm、DFN 5mm×6mm、TOLL及裸片等产品形态，可面向高功率PD快充、适配器及其他高频电源应用。

E-Mode GaN采用P-GaN栅极技术，属于常关型器件。与Cascode结构相比，其单芯片结构能够减少封装寄生参数，更适合高频、高功率密度电源设计。

英嘉通在还公布了IGC7E100SE、IGC7E150SE两款高压GaN器件的200W应用测试结果。测试方案输出规格为20.6V、9.7A，在90V至264V全电压输入范围内，两款器件的满载效率均高于92%。

经过两小时老化测试后，两款GaN器件在90V及264V输入条件下的温度均低于120℃，整体工作状态保持稳定，体现出英嘉通高压GaN在大功率快充应用中的效率和温升表现。

低压GaN进入服务器DC-DC核心环节

除了700V高压产品，英嘉通还重点布局40V至100V低压E-GaN器件，面向服务器电源、DC-DC转换、双向充放电和激光雷达驱动等应用。

在AI服务器供电系统中，低压GaN可用于48V转12V或6V的IBC中间总线转换，也可进入CPU、GPU供电的POL负载点电源。凭借较低的Coss和反向恢复损耗，GaN器件能够缩短半桥死区时间，并支持1MHz甚至更高的开关频率，在提高转换效率的同时改善负载瞬态响应。

英嘉通现有低压产品主要包括：

IGC040E048X1为一款40V、4.8mΩ双向GaN器件，采用2.1mm×2.1mm WLCSP封装，可用于负载开关、USB端口保护以及移动电源充放电控制。

IGC100E019X1耐压为100V，典型导通电阻为1.9mΩ，采用QFN 3mm×5mm封装，主要面向高功率DC-DC和服务器电源。

IGC100E080X1同样采用100V耐压设计，典型导通电阻为8mΩ，搭配WLCSP封装，适用于高频DC-DC及激光雷达驱动。

从器件性能来看，在100V耐压平台下，英嘉通GaN HEMT的比导通电阻约为硅MOSFET的70%，关键开关品质因数Ron×Qg约为硅MOSFET的五分之一。这意味着在相同导通电阻下，GaN器件可以明显降低栅极驱动和开关损耗，更适合500kHz至1MHz以上的高频DC-DC应用。

单颗双向GaN替代两颗背靠背MOS

低压产品中，BDS双向GaN器件是英嘉通此次重点技术之一。

在电池充放电、负载开关及端口保护等场景中，传统方案通常需要使用两颗硅MOSFET背靠背连接，才能同时实现双向导电和双向关断。这种结构不仅增加器件数量和PCB面积，两颗MOSFET串联还会叠加导通电阻。

英嘉通GaN BDS利用横向器件结构，通过两个相对设置的源极和栅极，共用同一漂移区承受电压。单颗器件即可实现双向导电和双向耐压，从而替代两颗背靠背硅MOSFET，在缩小封装体积的同时降低导通损耗。

以IGC040E048X1为例，该器件采用WLCSP封装，可用于移动电源充放电接口、储能系统及负载开关。与两颗硅MOSFET组成的背靠背方案相比，单颗GaN BDS能够简化电路结构，减少功率回路寄生参数，为高集成度移动设备和电池系统提供新的器件选择。

500W Buck-Boost验证低压GaN性能

为验证100V低压GaN在大功率DC-DC中的应用能力，英嘉通搭建了一款500W Buck-Boost测试方案。

该方案采用4颗IGC100E019作为主功率器件，输入、输出电压均为48V，输出电流为10A，开关频率为200kHz。

满载测试中，器件VDS尖峰电压为49.6V，相比100V额定耐压留有较为充足的裕量；VGS电压被钳位在4.6V，开通和关断波形较为干净，没有出现明显振荡。相关结果验证了IGC100E019在500W Buck-Boost应用中的开关稳定性及电压裕量。

低压GaN延伸至激光雷达

除服务器电源外，低压GaN在激光雷达驱动中的应用也受到英嘉通关注。

激光雷达需要通过高峰值电流驱动激光二极管，在极短时间内产生窄脉冲。脉冲宽度越小、边沿越陡，越有利于提高测距分辨率和抗干扰能力。

GaN器件具有较低的栅极电荷和较快的开关速度，可实现小于5ns的脉冲宽度，并支持最高100A级峰值脉冲电流。配合WLCSP小型封装，可进一步缩小驱动回路、降低寄生参数，为905nm及1550nm激光雷达的多通道集成提供支持。

总结

当前英嘉通的GaN产品布局正在沿高压和低压两条路线同步推进。其中高压端以700V E-GaN为核心，继续覆盖PD快充和高功率适配器，并向服务器主电源等高功率密度应用延伸；低压端则围绕40V至100V器件，进入服务器IBC、POL电源、双向DC-DC、移动电源充放电以及激光雷达驱动等场景。

低压BDS双向器件通过单颗GaN替代两颗背靠背硅MOSFET，为缩小系统体积、降低导通损耗提供了新的实现方式；100V低压GaN在500W Buck-Boost方案中的测试结果，也进一步体现出其在大功率DC-DC中的应用潜力。

从快充打开规模化市场，到AI算力和汽车电子拓展新的应用空间，氮化镓的竞争重点正从单纯的器件性能，转向产品组合、封装散热、可靠性及系统级方案能力。

英嘉通通过覆盖高压与低压的GaN产品线，正在将其应用范围从消费快充扩展至服务器电源、储能和汽车电子等更多领域。