9月11日，2026（秋季）亚洲充电展（ACE 2026）在深圳举行。

固得沃克、昕致科技、深爱半导体、力宏微、萨瑞微、方舟微、宜源科技、镓宏、基本半导体、全芯微、英嘉通、晶通半导体、安森德、虹美功率、致能半导体等企业集中亮相功率器件专区，展示功率MOSFET、GaN、SiC及整流器件等产品与应用方案。

功率器件承担电能转换与开关控制，是充电器、电源适配器及各类大功率电源中的核心器件。面对更高充电功率和更高功率密度需求，行业对器件导通损耗、开关损耗、耐压能力及散热性能提出了更高要求。

GaN推动快充电源持续小型化

GaN已经成为高功率密度快充的重要技术路线之一。

凭借高频、高效等特性，GaN器件能够支持更高开关频率，帮助缩小变压器、电感等磁性元件体积，使65W、100W、140W乃至更高功率充电器在提高输出能力的同时继续向小型化发展。

特别是目前产业链逐步成熟，GaN产品也从早期消费类充电器向笔记本适配器、多口桌面电源等更高功率产品拓展，对器件导通电阻、驱动方式、封装散热及长期可靠性提出更高要求。

SiC加快进入高功率电源

相比消费快充中广泛采用的GaN，SiC凭借高耐压、低损耗及高温工作能力，在更高功率电源中的优势进一步体现。

当前游戏本、机器人、eBike、无人机等产品补能功率持续提升，PFC、LLC等大功率电源架构应用增多，SiC MOSFET、SiC二极管等器件也获得更多应用空间。

特别是在数百瓦至千瓦级电源中，降低开关损耗和导通损耗能够直接改善整机效率与温升，为缩小散热系统和提升功率密度提供支持。

传统硅基MOSFET依然是快充及电源系统中的重要器件。

从高压AC-DC功率级，到同步整流、DC-DC、电池保护和功率路径控制，不同电压等级的MOSFET覆盖充电产品多个核心环节。

当前MOSFET持续向更低导通电阻、更低栅极电荷以及更小封装发展，在降低损耗的同时适应高功率、小体积设计。对于移动电源等低压大电流应用，毫欧级甚至更低导阻器件也有助于减少发热，提高整机充放电效率。

功率器件的应用正在从手机充电器、移动电源等消费电子，进一步延伸到游戏本、机器人、无人机、eBike以及工业电源等场景。

这些产品的充电功率从数十瓦逐步提升至数百瓦甚至千瓦级，对器件效率、耐压、电流承载能力和可靠性提出更加多样化的要求。

从低压MOSFET到高压GaN、SiC，不同技术路线也在各自适合的功率和电压平台发挥优势，推动功率器件产品线进一步丰富。

当前低损耗、高频化和高功率密度仍是功率半导体持续升级的重要方向。

GaN正在推动消费快充及适配器进一步小型化，SiC则加快进入更高功率的电源应用，传统MOSFET也在通过更低导阻和更先进封装持续提升性能。

特别是目前机器人、eBike、无人机等新兴快充场景发展，功率器件的应用边界也在不断拓宽。

更多GaN、SiC、MOSFET及高功率电源应用方案，欢迎来到ACE 2026功率器件专区，与参展企业现场交流，近距离了解功率半导体技术及量产应用的新进展。