在高性能计算、人工智能、高端芯片算力持续迭代的当下，打造高性能HPC电源完整性、高频降噪、稳定供电已成为制约GPU、CPU、ASIC等高端芯片性能释放的核心关键。

作为聚焦硅基无源器件创新的硬核科技企业，泽维芯科技始终坚守底层技术自主创新道路，深耕硅电容核心赛道，专注硅电容前沿技术研发、产品迭代与规模化产业化落地，致力于成为全球硅电容领域标杆企业，为高端算力芯片提供高稳定、高可靠、高性能的供电解决方案，全面赋能HPC高性能计算产业升级与性能突破。

依托母公司英集芯科技股份有限公司（688209）在数模混合芯片领域多年深耕积累的成熟技术体系、严苛质量管理体系、稳定全球供应链资源、规模化量产交付能力及优质头部产业客户资源，泽维芯实现技术平台、品控标准、供应链渠道、生产体系的全方位资源共享与深度协同。

依托成熟的研发验证流程、标准化品控体系与规模化量产优势，公司打通研发设计、性能验证、批量量产、终端交付全链路闭环，大幅缩短产品迭代周期，保障产品品质一致性与交付稳定性，为客户提供高效、可靠、一站式的硅电容配套服务。

泽维芯深度洞悉高性能计算场景下，芯片对电源完整性、高频去耦、低阻抗、高稳定性的极致严苛需求。针对传统电容ESL、ESR偏高、容值密度不足、环境适应性弱等行业痛点，公司自研打造系列高性能硅电容产品，凭借业界超低ESL、超高容值密度、极致高频去耦性能的核心优势，精准优化HPC系统PDN电源分配网络，有效降低高频噪声、抑制电压波动，彻底释放高端算力芯片的极限性能，助力终端设备实现算力升级、能效提升与稳定性升级。

历经三年技术深耕、产品迭代与市场打磨，泽维芯已构建成熟完善、多梯度、全覆盖的硅电容产品矩阵，可满足不同算力场景、不同芯片规格、不同性能需求的配套应用。公司支持深度定制化研发服务，可根据客户产品设计、工况环境、性能指标的个性化需求，定向优化产品参数、适配封装形态、定制开发专属方案，全方位匹配高端算力、服务器、人工智能、高端消费电子等多领域应用场景。目前公司已形成多档位超高容值密度产品体系，覆盖主流应用需求，梯度布局完善：

1.1uf/ mm2 ｜ MP量产规格

2.0uf/ mm2 ｜ MP量产规格

2.5uf/ mm2 ｜ MP量产规格

3.2uf/ mm2 ｜ MP量产规格

依托自主核心工艺与底层技术创新，泽维芯量产硅电容产品具备超低寄生参数、高环境稳定性、低漏电流、适配回流焊工艺等多重核心优势，可在复杂高低温、交直流偏置工况下保持容值稳定，高频去耦性能优异，能够适配高端芯片严苛工作环境，核心量产产品参数与性能优势如下：

ZC10430BAB 230nF 超低ESL ZeroCap硅电容

单封装集成230nF标准容值，适配中小算力芯片高频去耦场景。产品实现超低ESL（4.0pH）、超低ESR（26mΩ），高频降噪与去耦性能优异，可有效优化芯片电源完整性。产品容值在交直流偏置、高低温环境下全程稳定无衰减，支持回流焊工艺适配量产生产，具备极低漏电流特性，工作温度覆盖-40℃~125℃，适配工业级、服务器级严苛工况。

ZC10660PGE 双路4.67µF 超低ESL ZeroCap硅电容

单封装集成双路4.67µF大容量容值，专为高算力、大功耗GPU、ASIC芯片设计。单路电容实现超低ESL（2.0pH）、超低ESR（8.0mΩ），高频阻抗表现极致，可高效解决高端算力芯片高频噪声、电压抖动问题。采用聚酰亚胺凸台无铅铜终端工艺，工艺稳定性更强，具备超低漏电流、高容值稳定性优势，在交直流偏置与温度波动环境下性能无衰减，工作温度区间-40℃~125℃，适配大规模HPC集群、高端服务器等核心场景。

ZC10770BAD 1.88µF 超低ESL ZeroCap硅电容

单封装集成1.88µF标准容值，兼顾高容值与极致寄生参数控制，核心参数表现行业领先。产品实现极致超低ESL（1.16pH）、超低ESR（6.35mΩ），是目前高频去耦性能第一梯队的硅电容产品。全程保障交直流偏置、温度变化工况下的容值稳定性，支持标准回流焊量产工艺，漏电流极低，工作温度覆盖-40℃~125℃，可精准匹配高端算力芯片、高速运算设备的极致供电需求。

未来，泽维芯科技将持续聚焦硅基无源器件底层技术创新，持续迭代超高容值密度、超低寄生参数的新一代硅电容产品，不断完善产品矩阵、升级定制化服务能力。依托母公司成熟的产业平台与供应链优势，持续深化技术研发与产业化落地，以硬核自研产品打破技术壁垒，为全球高性能计算、人工智能、高端芯片产业提供更优质的电源解决方案，致力成为全球硅电容领域的核心创新者与行业领跑者！