功率之心了解到，晶能微电子（GEENER）正在拓展氮化镓功率半导体产品布局。此次亮相的产品包括100V双向氮化镓功率管GE030E10VFQ，以及配套的双向氮化镓驱动芯片GE1011SD，主要面向电池管理系统、储能设备、电动两轮车等应用领域。

晶能微电子成立于2022年6月，公司此前已布局IGBT、SiC、MOSFET等功率半导体产品，应用覆盖新能源汽车、储能、工业控制等领域。此次氮化镓相关产品的亮相，意味着晶能微电子的功率器件产品线进一步向GaN技术领域延伸。

100V双向氮化镓功率管GE030E10VFQ

晶能微电子GE030E10VFQ是一款采用硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）技术的增强型HEMT功率器件，具备双向阻断能力，采用FCQFN 4×6mm封装，兼顾低导通电阻与紧凑的封装尺寸。

与常规单向阻断功率MOSFET不同，GE030E10VFQ采用单栅极、双漏极结构，设有D1、D2两个功率端及G栅极控制端，可在关断状态下实现双向电压阻断，适用于需要控制电池充放电路径的电源系统。

在性能方面，GE030E10VFQ的最大双向阻断电压为100V，在5V栅极驱动条件下，典型导通电阻为2.3mΩ，最大导通电阻为3mΩ。在结温25℃条件下，其标称脉冲漏极电流达到370A。此外，该器件在50V测试条件下的典型栅极电荷为70nC，输出电荷为65nC。

对于电池管理系统而言，充电与放电路径通常需要具备独立的控制和保护能力。传统方案多采用背靠背MOSFET结构实现双向阻断，而双向GaN器件可在单颗功率器件内实现相应功能，为减少功率器件数量、降低导通损耗及优化PCB布局提供了新的选择。

凭借较低的导通电阻和双向阻断特性，GE030E10VFQ可应用于BMS电池保护、双向转换器高边负载开关，以及多电源系统的切换电路。

双向氮化镓驱动芯片GE1011SD

除功率器件外，晶能微电子还提供配套的GE1011SD双向氮化镓驱动芯片，形成从功率开关到栅极驱动的配套方案。

GE1011SD是一款适用于40V至120V双向氮化镓功率器件的低侧栅极驱动芯片，专为单栅极、双漏极增强型GaN HEMT设计，采用SOP-8封装。

该芯片支持5V栅极驱动，静态电流低至8μA，可兼容AFE模拟前端及MCU控制逻辑。其CHG、DSG控制输入支持最高20V电压，并具备快速导通与关断能力，可根据电池管理系统的控制信号切换功率器件状态，在异常工况下及时执行保护动作。

此外，GE1011SD具备较强的驱动能力，可支持多颗双向GaN器件并联，为需要更大电流承载能力的电池保护系统提供设计灵活性。

从规格书下面典型应用电路来看，GE1011SD能够与AFE电池管理芯片、采样电阻及双向GaN功率器件配合，构成完整的电池充放电保护路径。其应用覆盖储能系统、电动自行车、电动滑板车、UPS不间断电源、电动工具及轻型电动车等领域。

晶能微电子此次布局氮化镓功率器件，选择了电池管理与双向电源控制这一细分方向。相较于消费电子快充中常见的高压GaN功率器件，此次亮相的GE030E10VFQ更侧重低压大电流及双向阻断应用。

其中，GE030E10VFQ以100V耐压、2.3mΩ典型导通电阻和单栅双漏结构，为电池充放电控制提供了新的功率器件选择；配套的GE1011SD则承担栅极驱动及控制信号接口功能，方便与现有BMS方案结合。

从产品布局来看，晶能微电子此前已在IGBT、SiC和MOSFET等领域建立了业务基础，此次进一步拓展至GaN器件，也让其功率半导体产品线更加丰富。