功率之心通过专业拆解发现，NVIDIA英伟达DGX Spark轻量型服务器在48V输入降压电路中采用了威世（Vishay）SiR588DP与SiR580DP两款N沟道MOSFET，分别担任同步Buck电路的上管和下管。

两款器件均具备80V耐压，采用TrenchFET Gen V技术，分别侧重开关性能与低导通损耗，配合降压控制器完成48V输入电源的电压转换。

英伟达DGX Spark是一款面向人工智能开发、本地大模型推理等应用的轻量型服务器。

整机搭载GB10 Grace Blackwell超级芯片，集成20核CPU及Blackwell架构GPU，FP4 AI计算性能达到1PFLOPS，并配备128GB统一内存，可为大模型本地部署、AI开发等任务提供算力支持。

供电方面，DGX Spark采用外置电源设计，通过USB-C接口接入48V直流电源，配套PD3.1电源适配器支持48V/5A输出，最大供电功率达到240W，其中GB10超级芯片热设计功耗为140W。

相比低电压供电，48V输入能够在相同功率下减小传输电流，降低线缆及连接器上的导通损耗。不过，服务器内部的处理器、内存及外围电路仍需要不同等级的低压电源，因此需要通过DC/DC降压电路完成电压转换。

拆解发现，DGX Spark采用德州仪器LV5144同步降压控制器，搭配威世SiR588DP和SiR580DP两款功率MOSFET及3.3μH降压电感，构成同步Buck降压电路。

其中，SiR588DP作为上管，负责高侧开关控制；SiR580DP作为下管，承担同步整流任务，两者配合完成输入电压的降压转换。

威世双MOSFET实现48V同步降压

威世SiR588DP是一款采用TrenchFET Gen V技术的N沟道功率MOSFET，漏源耐压为80V。

在10V栅极驱动条件下，其最大导通电阻为8mΩ；在7.5V驱动条件下，最大导通电阻为9.3mΩ。器件采用PowerPAK SO-8封装，适用于DC/DC转换器、电源开关及同步整流等应用。

SiR588DP在7.5V栅极驱动条件下，典型总栅极电荷为14.2nC，具备较低的栅极电荷特性。

在DGX Spark的同步Buck电路中，这款器件作为上管使用，按照控制器设定的开关时序周期性导通和关断，将48V输入电源的能量传递至降压电感及后级负载。较低的栅极电荷有助于减轻驱动电路负担，并兼顾高频开关性能。

另一款SiR580DP同样采用TrenchFET Gen V技术，漏源耐压为80V，采用PowerPAK SO-8封装。

其主要特点是较低的导通电阻，在10V栅极驱动、20A漏极电流条件下，典型导通电阻为2.15mΩ，最大值为2.7mΩ；在7.5V驱动条件下，最大导通电阻为3.2mΩ。

SiR580DP作为同步Buck电路的下管使用，当高侧MOSFET关断时，按照控制时序导通，为降压电感提供续流通道，维持输出电流的连续性。

相比传统二极管续流方式，MOSFET同步整流能够减少续流期间的导通损耗，而SiR580DP较低的导通电阻，则有助于进一步降低整流环节的发热。

在这组48V降压电路中，威世两款MOSFET采用了不同的参数配置。

SiR588DP作为上管，侧重较低的栅极电荷及开关性能；SiR580DP作为下管，则采用更低的导通电阻，减少续流期间的功率损耗。两者配合，能够兼顾同步Buck电路中不同工作阶段的损耗控制，提高电源转换效率。

此外，两款器件均采用PowerPAK SO-8表面贴装封装，可通过PCB铜箔传导热量，在有限的主板空间内兼顾器件布局与散热需求。对于采用48V供电、内部集成高性能AI处理器的DGX Spark而言，这种上下管搭配方式有助于控制降压电路的功率损耗及温升，满足服务器持续运行时的供电需求。

总结

英伟达DGX Spark采用USB-C 48V供电，在240W供电规格下减少输入侧电流，同时通过主板内部的降压电路为各个功能模块供电。

威世SiR580DP应用于其中的同步Buck电路，利用80V耐压及2.7mΩ最大导通电阻，承担低侧同步整流任务，减少续流过程中的功率损耗。

对于这样一款集成高性能AI芯片、内存及高速网络接口的轻量型服务器来说，电源转换效率和散热设计都十分重要。SiR580DP采用低导通电阻MOSFET配合PowerPAK SO-8封装，在满足48V降压电路工作要求的同时，有助于控制同步整流环节的发热，为整机稳定供电提供支持。