11月2日，上海新微半导体有限公司（以下简称“新微半导体”）正式发布第二代700V增强型（E-mode）氮化镓功率工艺平台。

相比上一代，新平台的器件单位面积导通电阻降低约40%，同时在高压可靠性、芯片面积及制造成本等方面进一步优化，可满足快充、AI服务器、新能源汽车、工业电源及DC-DC转换器等领域的功率器件制造需求。

新微半导体此次发布的第二代700V氮化镓工艺平台采用其自主研发的GaN外延结构，并对器件内部结构以及栅极、场板、钝化等关键制造工艺进行了升级，在改善导通性能的同时，进一步提升器件在高压、大电流工作条件下的可靠性。

新平台通过优化器件结构，改善高压条件下的电场分布，有效缓解电场集中带来的影响，增强器件抵抗电流崩塌的能力，提升长期运行的稳定性。同时，经过优化的外延结构也进一步改善了栅极可靠性，拓宽器件的安全工作区（SOA），使其能够更好地适应大电流、高功率等应用场景。

在导通性能方面，得益于器件结构和制造工艺的改进，其单位面积导通电阻较上一代降低约40%，核心优值系数（FOM）也得到进一步改善。

这一改进不仅有利于降低器件的导通损耗，还能够在相同导通电阻要求下缩小芯片面积，使单片晶圆可以产出更多裸芯片，从而提高晶圆利用率，降低单颗芯片的制造成本。

对于氮化镓器件设计企业而言，这意味着在满足性能要求的同时，也有更多空间兼顾产品尺寸与成本。

在实际应用中，氮化镓功率器件凭借高频开关、低损耗等特点，能够帮助电源产品提升转换效率和功率密度。

例如，在快充适配器等对体积要求较高的产品中，更低的器件损耗和更小的芯片尺寸有利于实现小型化设计；而在AI服务器、工业电源等高功率应用中，器件的高压可靠性、导通性能以及长期运行稳定性同样重要。

目前，新微半导体已经建立覆盖40V至700V电压范围的氮化镓功率工艺矩阵，能够为不同电压等级的功率器件提供晶圆代工支持。

此次第二代700V E-mode工艺平台的推出，进一步完善了新微半导体在高压氮化镓领域的工艺布局，也为客户开发高效率、高功率密度的电源产品提供了更多选择。